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Sanquer, M.

Overview
Works: 41 works in 75 publications in 2 languages and 169 library holdings
Genres: Conference papers and proceedings  Academic theses 
Roles: Thesis advisor, Author, Opponent, Other, Editor, Publishing director
Publication Timeline
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Most widely held works by M Sanquer
Quantum physics at mesoscopic scale : proceedings of the XXXIVth Rencontres de Moriond, Les Arcs, France, January 23-30, 1999 by Rencontre de Moriond( Book )

6 editions published in 2000 in English and held by 33 WorldCat member libraries worldwide

Mise au point d'une méthode de calcul des phonons au centre de la zone de Brillouin applicable aux cristaux moléculaires : comparaison avec les résultats expérimentaux dans le cas des monocristaux de durène, d'iododurène, de chlorodurène et d'hexaméthylbenzène by M Sanquer( Book )

7 editions published in 1972 in French and held by 10 WorldCat member libraries worldwide

PROGRAMME POUR ORDINATEUR. LE CALCUL EST FAIT DANS LE CAS OU L'ON PEUT CONSIDERER LA MOLECULE COMME RIGIDE. LES FREQUENCES DES PHONONS DES MODES EXTERNES SONT CALCULEES EN NEGLIGEANT L'INTERACTION AVEC LES MODES INTERNES. APPLICATION AU BENZENE. BON ACCORD AVEC L'EXPERIENCE POUR LE CALCUL DU DEPLACEMENT DE FREQUENCE AVEC LA TEMPERATURE. PREDICTION DE LA POSSIBILITE DE REORIENTATION DE LA MOLECULE DE BENZENE AUTOUR DE SON AXE C::(6) DANS LA MAILLE DU CRISTAL. CALCUL D'UNE HAUTEUR DE BARRIERE DE POTENTIEL, EFFET DE LA TEMPERATURE. CALCUL DES FREQUENCES DE PHONONS DES CRISTAUX MOLECULAIRES. BON ACCORD POUR L'HEXAMETHYLBENZENE. MOINS BON ACCORD POUR LE DURENE ET SES DERIVES
Transport électronique et magnétisme dans les conducteurs organiques irradiés by M Sanquer( Book )

5 editions published in 1985 in French and held by 9 WorldCat member libraries worldwide

ETUDE DU SIGNAL RPE SOUS IRRADIATION, DU MAGNETISME ET DE LA CONDUCTIVITE DE (TTF-TCNQ ET DE (TMTSF)::(2)CLO::(4)
Proceedings of the XXXth Rencontre de Moriond by Rencontre de Moriond( Book )

1 edition published in 1994 in English and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

Spectroscopie locale à basse température dans des systèmes supraconducteurs désordonnés by Thomas Dubouchet( Book )

2 editions published in 2010 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Cette thèse présente une étude associant des mesures de spectroscopie tunnel, de spectroscopie d'Andreev en mode point-contact et de transport électronique sur des échantillons supraconducteurs désordonnés d'oxyde d'indium. Les mesures de transport révèlent une divergence de la résistivité depuis la température ambiante court-circuitée par la supraconductivité à basse température. Ce comportement traduit la proximité des échantillons avec la transition métal-isolant d'Anderson. La spectroscopie tunnel met en évidence un état supraconducteur inhabituel présentant un régime de pseudogap au-dessus de la température critique. Celui-ci évolue à basse température en un système inhomogène composé de paires de Cooper supraconductrices et de paires de Cooper localisées par le désordre, sans cohérence de phase. La comparaison entre plusieurs échantillons montre que ces paires de Cooper incohérentes prolifèrent avec l'augmentation du désordre et indique ainsi que la transition supraconducteur-isolant dans l'oxyde d'indium est gouvernée par la localisation progressive des paires de Cooper. Par ailleurs, en utilisant notre STM, nous avons décrit continûment l'évolution de la conductance locale entre le régime tunnel et le régime de contact. La spectroscopie d'Andreev révèle une nouvelle échelle d'énergie liée à la cohérence de phase supraconductrice et indépendante des fluctuations spatiales de la densité d'états mesurées en régime tunnel. Ceci montre que le désordre provoque une dichotomie entre l'énergie de liaison caractérisant l'appariement électronique et l'énergie de cohérence propre à l'état supraconducteur macroscopique
Background charges and quantum effects in quantum dots transport spectroscopy by M Pierre( )

1 edition published in 2009 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Quantum information and decoherence in nanosystems : proceedings of the 39th rencontre de Moriond, series Moriond workshops. La Thuile, Italy, January 25 - February 1st, 2004 by Moriond Astrophysics Meeting( Book )

2 editions published in 2004 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Courant de paires de Cooper via les états quantiques macroscopiques d'un couple d'îles by Enno Daniel Bibow( Book )

2 editions published in 2001 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Spectroscopie tunnel dans les films minces proches de la transition supraconducteur-isolant by Benjamin Sacépé( Book )

2 editions published in 2007 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This thesis presents a scannina tunnelina spectrocsopv studv of thin disordered superconductina films, namelv titanium nitride and amorphous indium oxide films, close to the superconductor-insulator transition (SIT). ln the superconductina phase, both films can be driven into an insulator bv increasina disorder or bV applvina a perpendicular maanetic field. Our tunnellina spectroscopv studv performed at a tempe rature of 50 mK revealed strona disorder-enhanced inhomogeneities of the superconducting gap. homoaeneous disorder. Close to the SIT such inhomoaeneities vield a picture of superconductina islands connected bv Josephson couplina. Conseauentlv, an applied maanetic field breaks these weak links and restores the underlvina insu latin a states. This thesis presents also a studv of the superconductina fluctuations reaime above the critical temperature. Fluctuations broaden the superconductina transition of thin films and ODen a pseudoaap in the one-electron densitv of states. ln TiN films, we measured a strona pseudoaaa in a wide temperature ranae. This pseudoaap is in aood aareement with a superconductina fluctuation pseudoaap combined with a disorder-enhanced Coulomb anomaly
Transport électronique à travers deux dopants, en régime statique et dynamique dans des transistors silicium by Benoît Roche( )

1 edition published in 2012 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

In this thesis, we studied low temperature silicon devices of nanometer size. In these devices, an electric current can flow through a small number of dopants. We studied the case of two dopants in series which electrostatic potentials are controlled independently by two gate voltages. In static regime, it is possible to perform spectroscopy of electronic doping levels. We measure an energy separation of the first two states for the phosphorus dopants around 10 meV, while this separation is 11.7 meV for dopants diluted in a bulk crystal. This difference is explained by the proximity of dopants with a silicon oxide interface. When the levels of the dopants are modulated by a periodic signal a current is generated by the device. The evolution of the current versus gate voltages is simulated by taking into account the tunnel couplings of the system. At high frequency, when we observe the quantification of electromagnetic energy exchanged with the system, the measured current as a function of the amplitude of the signal applied to the gates is described. This is an experimental evidence of the coherence of an electron shared by two dopants
La génération de courant quantifié par des dispositifs en silicium pour la métrologie quantique by Paul Clapera( )

1 edition published in 2015 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Les pompes à électrons ont été très étudiées et fabriquées par le monde scientifique. Elles génèrent un courant continu proportionnel à une fréquence très bien contrôlée en métrologie. Dans ce contexte métrologique, des principes et matériaux divers comme la pompe en GaAs ou Silicium ou encore le tourniquet supraconducteur ont marqué les avancées. Bien que les courants générés sont toujours plus grands et précis, les exigences fixées pour la métrologie sont difficiles à atteindre et pour l'heure aucune pompe à électrons ne peut être utilisable pour la mise en pratique du futur ampère quantique qui sera probablement défini dans quelques années.Par ailleurs, des chercheurs ont créé des circuits associant des transistors FETs (transistors à effet de champ) et des transistors SETs (transistors mono-électroniques), notamment dans une optique d'une électronique très basse consommation.Cette thèse apporte une contribution nouvelle dans ces deux domaines : une nouvelle pompe à électrons en silicium a été développée, et une co-intégration de circuit CMOS classique avec un dispositif de nanoélectronique quantique a été démontré.Notre pompe à électrons repose sur le principe de deux barrières tunnel réglables et d'un îlot central. Au travers de la modulation des barrières à la fréquence f, la charge électrostatique de l'îlot central est contrôlée, un courant continu I=ef est généré; et ceci même avec une tension nulle aux bornes de la pompe. Nos pompes à électrons utilisent la technologie nanofils silicium-sur-isolant développée par le CEA-LETI. Le nanofil est recouvert de deux grilles (2 MOSFETs en série) pour les barrières réglables, et un îlot de Coulomb métallique de petite taille est « isolé » entre ces deux transistors. Nos échantillons à 100mK nous ont permis de montrer que nous étions capables de contrôler adiabatiquement l'état de charge de l'îlot quantique et de générer des courants quantifiés jusqu'à 900MHz. Nous avons aussi fabriqué les premières pompes à électrons en lithographique optique uniquement, avec pour ces dernières une fréquence maximale de pompage de 300MHz.Notre technologie de fabrication de SETs à grande échelle repose sur une réduction des tailles. Ces techniques n'ont que très rarement été couplées avec des circuits CMOS conventionnels mais fonctionnant à basse température. L'intérêt d'une telle co-intégration est grand dans le domaine de l'information quantique: la mise en place de beaucoup de qubits couplés pourrait nécessiter des circuits « annexes » réalisés en CMOS classique mais cryogénique.Nous avons conçu et fabriqué avec le LETI-DACLE un circuit co-intégrant un circuit oscillant composé de FETs de grandes dimensions et un circuit nanoscopique composé de SETs. Un circuit d'essai comprenant une pompe à électrons pilotée sur la puce par un circuit oscillant a été réalisé et mesuré à basse température.Nos résultats montrent que les circuits oscillants basés sur des oscillateurs en anneaux pour des applications à 300K restent fonctionnels jusqu'à 1K, malgré une très faible baisse de la fréquence d'oscillation. En parallèle, nous avons par la mesure de courant de rectification sur le dispositif nanoscopique mis en évidence que la cohabitation entre circuit FET et SET était réalisable et qu'il est possible d'imaginer un circuit complexe pour réaliser une pompe à électrons et son électronique associée sur une même puce.La conception de pompe à électrons par l'approche de la technologie SOI a montré sa viabilité, avec nos dispositifs potentiellement équivalents aux meilleures pompes crées jusqu'à présent. L'avantage du silicium et des techniques de fabrication modernes ont prouvé qu'il était possible de créer des circuits complexes alliant FET et SET pour des applications faisant intervenir des phénomènes quantiques. Ces travaux montrent le caractère prometteur de la co-intégration de circuits et ouvre la voie à de plus amples investigations dans la réalisation des pompes à électrons en silicium
Gate-reflectometry dispersive readout and coherent control of a spin qubit in silicon by A Crippa( )

1 edition published in 2019 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Signature of Kondo effect in silicon quantum dots by M Specht( )

1 edition published in 2002 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Blocage de Coulomb dans les transistors silicium à base de nanofils by Max Hofheinz( Book )

2 editions published in 2006 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Cette thèse est consacrée à des mesures de transport électronique dans des transistors mono-électroniques de type MOSFET silicium à base de nanofil. L'îlot de blocage de Coulomb n'est pas formé par des constrictions ou des barrières d'oxyde mais par une modulation du dopage et une grille couvrant la partie centrale du fil. Ces dispositifs sont des transistors mono-électroniques très stables et bien contrôlés. Quand il ne contient que peu d'électrons, l'îlot est dans un régime localisé où l'espacement entre résonances de Coulomb est très irrégulier. A partir de quelques dizaines d'électrons l'îlot devient diffusif. Dans ce cas les fluctuations de l'espacement entre résonances sont petites et correspondent à l'espacement entre niveaux à une particule. Le blocage de Coulomb contrôlé permet d'analyser les barrières formées par les parties faiblement dopées du fil. A petite échelle, le remplissage de dopants individuels cause des anomalies dans le spectre de Coulomb qui permettent de remonter à la matrice de capacité, la position approximative, la dynamique et le spin des dopants. A grande échelle l'augmentation de la densité électronique dans les barrières avec la tension de grille entraîne une forte augmentation de la constante diélectrique dans les barrières. Nous observons un bon accord entre constante diélectrique et conductance des barrières via les lois d'échelle de la transition métal-isolant
Electronique cryogénique et réalisation de boîtes quantiques sur substrat SOI pour le calcul quantique by Heorhii Bohuslavskyi( )

1 edition published in 2018 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This thesis studies cryogenic electronics and quantum dots on silicon-on-insulator (SOI) for quantum computing. Different types of electron and hole quantum dots are fabricated with Leti's SOI nanowire (NW) and planar 28nm FD-SOI technology. In the first part, Pauli Spin Blockade (PSB) is studied for the first holes down to 60mK. We show that it is governed by a strong spin orbit coupling (SOC). The intradot relaxation rate of 120kHz was found for the first holes. The access barriers tunability realized with additional gates was proven to be efficient regarding the isolation of qubit from source/drain metallic leads. Following the recent demonstration of electron-dipole spin resonance (EDSR) achieved in electron quantum dots confined in the corners of silicon nanowire (CDs), we deeply investigated quantum dots in several multi-gate samples under different body-biasing conditions. Based on preliminary cryogenic transport measurements, an operation protocol for a compact two electron spin qubit gate has been proposed.Regarding cryogenic electronics required for an efficient control, manipulation and read-out of a large number of qubits, the low temperature digital and analog performance of 28nm FD-SOI MOSFETs was analysed from room temperature down to 4K. Significant improvements in transistor performance are achieved with a clear enhancement of carrier mobility and a strong reduction of subthreshold swing (SS), even for short-channel devices with gate length down to 28nm. The saturation of the subthreshold swing at low temperature is explained with a new analytical model developed in this thesis. By introducing a narrow tail in the density of states at the edges of the conduction and valence bands and using the Fermi-Dirac statistics, an excellent agreement of SS is achieved between experiments and modelling. The analysis of the SS-IDS metric under different forward body-biasing (FBB) conditions has revealed that the increased density of interface traps cannot be responsible for the SS saturation at low temperature. By adding a slight exponential variation in the interface trap density, we show that the SS-IDS curve can be well reproduced over more than 6 decades, paving a way for an efficient cryogenic design of CryoCMOS.In a second time, cryogenic performance of Ring Oscillators (RO) down to 4K was investigated. We have shown that the optimal supply voltage can be reduced down to 0.3V. This allows to efficiently reduce the dynamic and static power dissipations. At the same time, a small Energy-Delay product of 6.9fJ.ps with a delay per stage of 37ps were achieved at VDD=0.325V under aggressive FBB.Finally, in the last chapter, the duality of short-channel FD-SOI transistors operation as FETs or SETs is demonstrated at 4K. By benchmarking the QDs with respect to the common silicon platforms, we show that 28nm FD-SOI technology has a great potential for both cryogenic electronics and qubits
Electrically driven electron spin resonance mediated by spin-valley-orbit coupling in a silicon quantum dot by Andrea Corna( )

1 edition published in 2018 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Long-range transfer of spin information using individual electrons by Benoit Bertrand( )

1 edition published in 2015 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

L'usage du spin des électrons pour le traitement de l'information est devenu un vaste sujet de recherche aujourd'hui, notamment grâce aux nombreuses possibilités qui en découlent. Les recherches actuelles s'étendent de la génération de courants polarisés en spin à la manipulation cohérente de spin d'électrons uniques dans des boîtes quantiques, avec des applications en électronique de spin ou en information quantique. L'objectif de cette thèse est d'étendre le développement de l'électronique de spin à l'échelle de l'électron unique. Pour cela, nous cherchons à accomplir le transport cohérent d'un spin d'électron entre deux boites quantiques. Cela constituerait un moyen prometteur d'interconnecter les différents nœuds d'un nanoprocesseur quantique. Le principe utilisé repose sur l'emploi d'ondes acoustiques de surface qui, grâce aux propriétés piézoélectriques du matériau, permettent la génération de boites quantiques en mouvement. Tout d'abord, une étude de l'injection d'un électron dans une de ces boites quantiques en mouvement a été effectuée. Le contrôle à la nanoseconde de ce processus a été démontré grâce à l'application de pulses de tension modifiant pendant un bref instant le potentiel qui confine l'électron. Dans un deuxième temps, la préparation d'une superposition cohérente d'états de spin a été réalisée à l'aide d'une double boite quantique isolée, dans une position compatible avec le transport par onde acoustique de surface. Enfin, le transport d'information de spin, codée sur un unique ou sur deux électrons, a été accompli avec une fidélité atteignant 30%
Transport quantique dans les verres de spins by Guillaume Forestier( )

1 edition published in 2015 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

The experiments presented in this thesis associate two fields of condensed matter physic, on the one hand with the spin glass physic and the other hand with the mesoscopic physic. The spin glass state is one of the most emblematic of disordered and frustred system and at low temperature, it is caracterized by an unconventionel order where the magnetic disorder is quenched. Moroever, it is considered as a model system for glasses in general and thereby it has been extensively studied, both experimentally and theoreticlly. After extensive research efforts, the description of fundamental state of the system has lead towards two well different approaches. The first, given by the mean field solution, highlights a fundamental composed of mulitple states organised and hierarchical. The second, called droplet model is based on the off--equilibrium dynamic of a unique ground state. However, despite these contributions, the understanding ot this phase is far from being complete and the nature of the ground state still remains an open question. In a mesoscopic conductor, the transport of electron is coherent: electrons keep the memory of their phase, so that one can observe interference effects. The main motivation of this work is to use these interference effects in order to to probe the spin glass state. Indeed, as electronic interference depends of the position of the static disorder, coherent transport can be a useful tool to study the configuration of the microscopic disorder. Althought few coherent transport experiments exist to probe the spin glass, this field of research has very little explored. Nevertheless, this area has been a revival thanks to theoritical work, showing how coherent transport is sensitived to the quenched disorder and how it may provide informations of the nature of fundamental state of spin glass. So, this experimental work deals with the implementation of transport measurements in mesoscopic spin glasses. The first part of the study is focused on the general charateristics of classical and quatum transport of these system. We have examined the resistivity as a function of the temperature and magnetic field and we show that these mesoscopic systems have a spin glass-like behaviour. In a second part, we have focused on the low field magnetoresistivity. We show that it presents a strong hysteresis, whose the amplitude is strongly depends, both of the temperature in the glassy phase and sweeping rate of the magnetic field. We argue that this particular behaviour is related to the out off-equilibrium of the system and we show how the temperature and the sweeping rate control the deviation to the equilibrium. In this part, we also examine by transport measurements how the system relaxes towards the equilibrium just after its excitation. In addition, we present surprinsing transport propreties that we observed, resulting of experimental protocols more sophisticated in temperatures and magnetic fields
Collective energy gap of preformed Cooper pairs in disordered superconductors by Thomas Dubouchet( )

1 edition published in 2018 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

 
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0
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1
  General Special  
Audience level: 0.84 (from 0.72 for Proceeding ... to 0.97 for Coulomb an ...)

Alternative Names
Sanquer, M.

Sanquer, Marc

Languages
English (26)

French (19)