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Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble)

Overview
Works: 376 works in 409 publications in 2 languages and 710 library holdings
Genres: Conference papers and proceedings  Academic theses 
Roles: Other, Organizer of meeting, Editor
Classifications: QC765, 621.381531
Publication Timeline
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Most widely held works by Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble)
Proceedings of the 31st European Solid-State Circuits Conference, 2005, ESSCIRC 2005 Sept. 12-16, 2005, [Grenoble, France] by ESSCIRC( )

1 edition published in 2005 in English and held by 41 WorldCat member libraries worldwide

Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005, ESSDERC 2005 : 12 - 16 Sept. 2005, [Grenoble, France] by ESSDERC( )

1 edition published in 2005 in English and held by 41 WorldCat member libraries worldwide

EMLC 2007 : 23rd European Mask and Lithography Conference : 22-25 January 2007, Grenoble, France by European Mask and Lithography Conference( Book )

1 edition published in 2007 in English and held by 17 WorldCat member libraries worldwide

Contribution à l'étude du transistor à effet de champ : 1e thèse ; Propositions données par la Faculté : 2e thèse by Pierre David( )

1 edition published in 1969 in French and held by 5 WorldCat member libraries worldwide

Système d'acquisition de données et de télétraitement géré par un petit calculateur by Mathurin Le Sourne( )

in French and held by 5 WorldCat member libraries worldwide

26th European Mask and Lithography Conference : 18-20 January 2010, Grenoble, France by European Mask and Lithography Conference( Book )

3 editions published in 2010 in English and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

Utilisation d'une couche magnétique mince pour la mesure des champs magnétiques très faibles by Jean-Yves Valet( )

1 edition published in 1969 in French and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

Colloque international sur la fiabilité des composants électroniques spatiaux = International Conference on Reliability of Electronic Components for Space : Grenoble, 4-6 novembre 1968 by Colloque International Sur La Fiabilité Des Composants Électroniques Spatiaux. 1968. Grenoble( Book )

1 edition published in 1969 in English and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

MMA8́5 : Europhysics conference on magnetic materials for applications : June 3-5, 1985, Grenoble, France by Europhysics Conference on Magnetic Materials for Applications( Book )

2 editions published in 1985 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Contribution à l'étude des phénomènes limitant la fiabilité des lignes conductrices en aluminium des circuits VLSI : rôle de l'électromigration et des contraintes d'origine thermique = Contribution to the study of phenomena limiting VLSI circuit aluminum conducting lines fiability : role of electromigration and thermal stress by Bruno Bacconnier( Book )

2 editions published in 1989 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Les métallisations en aluminium des circuits intégrés s ont soumises à des contraintes thermomécaniques, au cours de l'élaboration des dispositifs,et électriques, au cours de leur fonctionnement, qui limitent leur faisabilité et leur fiabilité. L'étude de ces phénomènes a été réalisée grâce à la mise au point d'une méthode d'analyse statistique originale des profilogrammes de la surface des films et d'un logiciel de test d'électromigration qui pilote un ensemble de 64 générateurs de courant indépendants. Les caractéristiques des excroissances d'origine thermique ont été reliées quantitativement à la texture des films et à la vitesse de chauffage. Ces résultats et une modélisation de la relaxation des contraintes induites par un traitement thermique montrent quantitativement que la formation des excroissances résulte d'un transport de matière contrôlé par la diffusion intergranulaire. Les comportements sous électromigration des matériaux testés ont été caractérisés par la mesure de l'évolution temporelle de la résistance électrique. Une simulation de cette évolution a également été effectuée. La localisation des excroissances d'électromigration sur les lignes de test a été expliquée à l'aide de leurs textures, de leurs dimensions et de leurs compositions. L'ensemble des résultats montre l'importance d'associer l'étude des effets électriques à celle des effets thermomécaniques dans les films minces d'aluminium
Étude et optimisation de l'émission et de l'extraction de lumière des nanofils semiconducteurs grand gap : application à des dispositifs électroluminescents by Anne-Line Henneghien( Book )

3 editions published between 2010 and 2011 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The current blue or white light-emitting diodes (LEDs) are constituted by planar layers of GaN. The use of the nanowires as active layer is a hard and new concept which brings numerous potential advantages and revolutionizes the rules of LED design. This thesis deals with the light emission and extraction of nanowire structures made of wide band gap semi-conductors such as GaN or ZnO. The issue is to understand and to optimize the processes of extraction with the aim of a LED use. We were more particularly interested in three nanowire organizations attractive for the extraction. The first concept concerns nanowires which are enough separated to be considered as isolated. The emission properties of these structures are mainly controlled by the competition between localized resonance (whispering gallery modes) and guided modes which channel and propagate the spontaneous emission towards the nanowires ends. Our second contribution concerns the study of ensembles of small dense nanowires. Goniometry experiments on GaN nanowires made by MBE put in evidence the interest of a nanowires modelling by an effective anisotropic medium. The simulations of the extraction of these devices on silicon substrate are very promising for the creation of efficient and low cost LEDs. Perspectives on nanowires use in periodic organized array so as to realize a photonic crystal are the third part of the thesis. A numerical model allowed suggesting rules of arrays design
Étude de corrélats électrophysiologiques pour la discrimination d'états de fatigue et de charge mentale : apports pour les interfaces cerveau-machine passives by Raphaëlle N Roy( )

2 editions published in 2015 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Mental state estimation on the basis of cerebral activity and its resulting physiological activities has become a challenge for passive Brain-Computer Interfaces (BCI), in particular to address a need in neuroergonomics. This thesis work focuses on mental fatigue and workload estimation. Its purpose is to provide efficient and realistic processing chains. Thus, one issue was the modulation of workload markers as well as classification performance robustness depending on time-on-task (TOT). The impact of workload and TOT on attentional state markers was also assessed. For those purposes, an experimental protocol was implemented to collect the electroencephalographic (EEG), cardiac (ECG) and ocular (EOG) signals from healthy volunteers as they performed for a prolonged period of time a task that mixes working memory load and selective attention. Efficient signal processing chains that include spatial filtering and classification steps were designed in order to better estimate these mental states. The relevance of several electrophysiological markers was compared, among which spontaneous EEG activity and event-related potentials (ERPs), as well as various preprocessing steps such as spatial filtering methods for ERPs. Interaction effects between mental states were brought to light. In particular, TOT negatively impacted mental workload estimation when using power features. However, the chain based on ERPs was robust to this effect. A comparison of the type of stimuli that can be used to elicit the ERPs revealed that task-independent probes still allow very high performance, which shows their relevance for real-life implementation. Lastly, ongoing work that aims at assessing task-robust workload markers, as well as the usefulness of auditory ERPs in a single-stimulus paradigm will be presented as prospects
Système de mesure d'impédance électrique embarqué, application aux batteries Li-ion by Rouba Al Nazer( )

2 editions published in 2014 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

La mesure d'impédance électrique en embarqué sur véhicule est un sujet clé pour améliorer les fonctions de diagnostic d'un pack batterie. On cherche en particulier à fournir ainsi des mesures supplémentaires à celles du courant pack et des tensions cellules, afin d'enrichir les indicateurs de vieillissement dans un premier temps, et d'état de santé et de charge dans un second temps. Une méthode classique de laboratoire pour obtenir des mesures d'impédance d'une batterie est la spectroscopie d'impédance électrochimique (ou EIS). Elle consiste à envoyer un signal sinusoïdal en courant (ou tension) de fréquence variable balayant une gamme de fréquences d'intérêt et mesurer ensuite la réponse en tension (ou courant) pour chaque fréquence. Une technique d'identification active basée sur l'utilisation des signaux large bande à motifs carrés est proposée. En particulier, des simulations ont permis de comparer les performances d'identification de différents signaux d'excitation fréquemment utilisés dans le domaine de l'identification et de vérifier les conditions correspondant à un comportement linéaire et invariant dans le temps de l'élément électrochimique. L'évaluation de la qualité d'estimation est effectuée en utilisant une grandeur spécifique : la cohérence. Cette grandeur statistique permet de déterminer un intervalle de confiance sur le module et la phase de l'impédance estimée. Elle permet de sélectionner la gamme de fréquence où la batterie respecte les hypothèses imposées par la méthode d'identification large bande. Afin de valider les résultats, une électronique de test a été conçue. Les résultats expérimentaux permettent de mettre en valeur l'intérêt de cette approche par motifs carrés. Un circuit de référence est utilisé afin d'évaluer les performances en métrologie des méthodes. L'étude expérimentale est ensuite poursuivie sur une batterie Li-ion soumise à un courant de polarisation et à différents états de charge. Des essais comparatifs avec l'EIS sont réalisés. Le cahier de charge établi à l'aide d'un simulateur de batterie Li-ion a permis d'évaluer les performances de la technique large bande proposée et de structurer son utilité pour l'estimation des états de vieillissement et de charge
Evaluation de nouvelles techniques en vue d'améliorer la technologie silicium sur corindon by Alain Rey( Book )

in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Description des outils de caractérisation des couches épitaxiées, diffraction rx et rétrodiffusion de particules, mettent en évidence une décroissance exponentielle de la densité des défauts en s'éloignant de l'interface silicium corindon. Construction d'une installation de traitement d'échantillon par laser à colorants organiques. Exploration de deux voies permettant des améliorations potentielles de la technologie silicium sur corindon: amorphisation par implantation d'ions silicium suivie d'un recuit thermique ou laser, élaboration d'une technologie dite froide
Correction de l'atténuation et du rayonnement diffusé en tomographie d'émission à simples photons by Quentin Donner( )

2 editions published in 1994 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The aim of single photon emission tomography is to compute a functional picture of an organ. This is done by administering to the patient a radiopharmaceutical which is fixing in the organ. Then, one computes the distribution of the radiopharmaceutical from the measurement of the emitted gamma-rays. However, an important part of these gamma-rays are interacting with the matter inside the body. The aim of this work is to take these interactions into account so as to reconstruct more accurately
Une architecture de contrôle réactif pour la résolution coopérative de problèmes by Mathias Chaillot( )

2 editions published in 1993 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Un environnement de résolution de problèmes est un système à base de connaissances qui pilote des modules algorithmiques. Nous étudions le problème de la réactivité dans ce type de systèmes et proposons une architecture appelée TRAM. Dans TRAM, l'état courant de la résolution est modélisé dans une base d'objets dont les mises à jour sont effectuées par ces modules algorithmiques. Le modèle objet propose détecte les événements pris en compte et identifie les situations qui permettent d'activer les modules algorithmiques. On montre ainsi l'intérêt de la classification d'instances pour caractériser l'état d'un système réactif. Le contrôle est organise en deux niveaux : la réactivité est gérée par un superviseur qui est défini a partir d'un automate d'états finis et qu'identifie la tache a réaliser, la planification est assurée par un gestionnaire de taches. L'étude de la sélection dynamique de méthodes dans ce modèle de taches aboutit à plusieurs algorithmes qui prennent en compte l'activité et l'utilité des méthodes, la rationalité du processus de délibération et la gestion des possibilités d'activation. TRAM est réalisé selon une approche client-serveur et expérimenté dans les applications de calcul scientifique
Compte-rendu by Seminaire des Utilisateurs du Traitement du Signal( Book )

in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Méthodes de traitement des mesures magnétiques en forage pour la datation haute-résolution des séries sédimentaires by Pascal Vibert-Charbonnel( Book )

1 edition published in 1996 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Réalisation de diodes électroluminescentes à base de nanofils GaN by Anne-Laure Bavencove( )

1 edition published in 2012 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Ces travaux de thèse portent sur l'évaluation des propriétés de nanofils InGaN/GaN en vue de la réalisation de diodes électroluminescentes (LEDs). Deux types d'architecture, obtenus par des techniques de croissance différentes, ont été étudiés. La technique MBE a conduit à la réalisation de LEDs en structure axiale émettant du domaine spectral bleu au rouge. Les émetteurs uniques présentent dans ce cas des diamètres typiquement inférieurs à 100 nm. La technique MOCVD a conduit quant à elle la fabrication de LEDs émettant des longueurs d'onde plus courtes à partir d'hétérostructures InGaN/GaN en Coeur/Coquille présentant des dimensions micrométriques. Dans les deux cas, la croissance est réalisée de manière spontanée sur un substrat Silicium (111) de conductivité élevée permettant l'injection verticale du courant dans les dispositifs intégrés à l'échelle macroscopique. L'ensemble des briques technologiques nécessaires à la fabrication de LEDs a été évalué par un panel important de techniques expérimentales adaptées aux structures à fort rapport de forme. Ainsi, l'effet de l'incorporation d'espèces dopantes de type n (Silicium) et de type p (Magnésium) a été caractérisé par des expériences de spectroscopie optique couplées à des mesures électriques sur fils uniques. De plus, la cathodoluminescence basse température a été largement utilisée afin d'étudier les propriétés optiques de la zone active à base d'InGaN dans les deux architectures considérées. Après intégration technologique, des caractérisations électro-optiques résolues à l'échelle du fil unique ont montré que les performances des LEDs à nanofils restent principalement limitées par la fluctuation des propriétés électriques et optiques entre émetteurs uniques
Contribution à la caractérisation électrique et à la simulation numérique des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction by Raphaël Lachaume( )

1 edition published in 2014 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

La technologie des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction (HET) a montré un intérêt croissant ces dernières années. En alliant les avantages des technologies couches minces et silicium cristallin (c-Si), elle permet un meilleur compromis coûts-performances que les cellules purement c-Si. Cette thèse a pour but d'améliorer la compréhension des mécanismes physiques qui régissent les performances de ces cellules, en mettant à profit des compétences spécifiques de caractérisation et de simulation issues de la microélectronique. Nos travaux se focalisent sur l'étude de la face avant de la cellule HET de type n, composée d'un empilement de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) et de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Nous commençons par une étude théorique et expérimentale de la conduction des couches d'a-Si:H en fonction de la température, du dopage et des défauts qu'elles contiennent. Prendre en compte l'équilibre dopant/défaut de ces couches est primordial mais nous montrons aussi que le travail de sortie des électrodes en contact, comme l'ITO, peut influer fortement sur la position du niveau de Fermi dans les films nanométriques d'a-Si:H. Nous présentons ensuite une évaluation de sept techniques de caractérisation du travail de sortie afin d'identifier les plus adaptées à l'étude de semiconducteurs dégénérés tels que l'ITO. Nous montrons notamment l'intérêt de techniques originales de la microélectronique comme les mesures de capacité C(V), de courant de fuite I(V) et de photoémission interne (IPE) sur des empilements ITO/biseau d'oxyde/silicium. Nous mettons clairement en évidence que les propriétés volumiques de l'ITO peuvent être optimisées, mais que les interfaces ont un effet prépondérant sur les valeurs de travaux de sortie effectifs (EWF) extraits. Une bonne cohérence globale a été obtenue pour les techniques C(V), I(V) et IPE sur biseau de silice (SiO2) ; les valeurs extraites ont notamment permis d'expliquer des résultats expérimentaux d'optimisation des cellules. Nous montrons que la tension de circuit ouvert (Voc) des cellules est finalement peu sensible au travail de sortie, contrairement au Facteur de Forme (FF), grâce à la couche d'a-Si:H. Plus cette dernière est dopée, défectueuse et épaisse, plus elle est capable d'écranter les variations électrostatiques d'EWF. Aussi, le travail de sortie doit être suffisamment élevé pour pouvoir réduire les épaisseurs de couche p d'a-Si:H et ainsi gagner en courant de court-circuit (Jsc) sans perdre en FF ni Voc. Enfin, il nous a été possible d'appliquer cette méthodologie à d'autres oxydes transparents conducteurs (TCO) que l'ITO. Le meilleur candidat de remplacement de l'ITO doit non seulement présenter une transparence optique élevée, être un bon conducteur et avoir un fort travail de sortie effectif, mais il faut également prêter une attention particulière à la dégradation éventuelle des interfaces causée par les techniques de dépôt
 
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Commissariat à l'énergie atomique (France) Laboratoire d'électronique et de technologie de l'informatique (Grenoble)

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