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École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)

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Most widely held works by électrotechnique, automatique (Lyon) École doctorale Électronique
Les lignes de crêtes dans les images à niveau de gris : Contribution de la prétopologie et de la classification automatique à leur détection : Taxinomie des méthodes = est lines in grey level images : Contribution of pretopology and clustering to their detection : Taxonomy of the roothods by Nazha Selmaoui( )

2 editions published in 1992 in French and held by 6 WorldCat member libraries worldwide

Le thème central de ce mémoire est le problème de la détection de lignes de crêtes et de thalwegs dans les images à niveaux de gris. Cette question est abordée de deux niveaux:la présentation de nouvelles méthodes de détection basés sur les concepts de prétopologie et de fonctions structurantes; l'élaboration d'une taxinomie de l'ensemble des méthodes de détection de lignes extrémales. Le mémoire est divisé en deux parties, respectivement consacrées à l'une et l'autre de ces aspects. Dans la première partie, il est montré en premier lieu comment les méthodes proposées dérivent, d'une part, d'une réflexion préalable sur les interactions potentielles entre les méthodes de classification automatique en reconnaissance de formes et les méthodes de segmentation en analyse d'images et, d'autre part, d'une extension des notions de pré topologie de fonctions structurantes à un es ace discret. On procède ensuite à une présentation détaillée de leur implémentation; leur utilisation dans une applications industrielles, contrôle qualité sur des matériaux composites étude de la performance de sèche-linge, permet de comparer nos outils à ceux issus d'une approche morphologique. La taxinomie des méthodes de détection de lignes extrémales, proposée dans la deuxième partie de ce mémoire, est élaborée à partir d'une étude bibliographique. Elle consiste à dégager deux grands types d'approches la démarche statistique et la démarche structuraliste. Elle conduit à affecter les méthodes présentées dans la première partie à la classe structuraliste, et à repréciser dans ce cadre la position de la prétopologie par rapport à la morphologie
Procédés thermiques rapides pour la réalisation de diélectriques ultra-minces sur silicium. Caractérisation par spectroellipsométrie = Titre eng : Sous-titre eng by Nathalie Gonon( Book )

2 editions published in 1993 in French and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

La réalisation de diélectriques ultra minces inférieurs à 10 nm, est nécessaire dans plusieurs domaines : la microélectronique où la réduction continuelle des dimensions des circuits intégrés MOS implique l'utilisation de diélectriques de plus en plus minces et dans celui des hétéro structures capacitives pour capteur biologiques. L'oxydation thermique du silicium est le procédé le plus performant pour la réalisation des dispositifs pré-cités. Récemment, une technique de croissance à très hautes températures et à temps d'oxydation très courts s'est développée avec l'arrivée des Procédés Thermiques Rapides. Des couches diélectriques ultra-minces sur silicium ont été réalisées par oxydation thermique rapide sous O2 et sous N2O à pression proche de la pression atmosphérique. La caractérisation de ces couches a été faite par spectroellipsométrie. Celle-ci nous a permis de mettre en évidence un régime de croissance initial rapide avec toutefois en ralentissement de cette croissance pour les oxydes faits sous N2O, ainsi qu un indice des couches réalisées plus élevé que celui de la silice standard. Des analyses complémentaires (spectroscopie Auger, sonde ionique, mesures électriques) ont confirmé cet indice élevé et ont révélé un problème d'interface. Elles nous ont permis d'émettre des hypothèses quant à l'origine des indices élevés (densification, présence d'une couche interfaciale SiO2 silicium en excès à 1 interface) et la croissance des oxydes RTO (croissance volumique)
Contribution à la préhension robotisée pour la saisie d'objets fragiles et-ou fortement déformables : Modélisation et commande d'un préhenseur électropneumatique instrumenté = contribution to robotised prehension for grasping fragile and/or easily deformable objects : Modelling and control of an electropneumatic adaptive gripper by Ning Ye( Book )

2 editions published in 1993 in French and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

Ce travail concerne la conception, la modélisation et la commande d'un préhenseur mécanique à deux doigts, instrumenté en position et en effort. L'actionnement pneumatique original est constitué d'un soufflet métallique plissé piloté par deux électrovannes commandée en modulation de largeur d'impulsion (MU). Les objectifs de ce travail ont été: - de valider l'originalité de l'actionnement asservi par soufflet métallique. - d'établir un ensemble de modèles des électrovannes pilotée en MU d'une part et de l'actionneur d'autre part. - d'établir dans le cas d'un préhenseur, une stratégie de commande permettant de minimiser le choc à l'instant du contact et de s'adapter aux objets de raideurs différentes. Le premier chapitre est consacré aux généralités sur les préhenseurs et à une analyse du procédé de préhension du point de vue de la décision stratégique et de la commande. La structure et le principe de fonctionnement du préhenseur sont présentés dans le deuxième chapitre. L'étude de la force de contact entre le préhenseur et l'objet saisi est traitée dans le troisième chapitre. Dans le quatrième chapitre nous étudions l'interface électrovanne pilotée en MLI pour l'asservissement électropneumatique. [ La modélisation de l'ensemble du préhenseur et une stratégie de commande sont développées au chapitre cinq. [ Les résultats des essais de préhension de différents objets (fragiles et/ou déformables) sont exposés dans le chapitre six
Analyse et synthèse de tolérance pour la conception et le dimensionnement des systèmes mécatroniques by Mariem El Feki( Book )

2 editions published in 2011 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Cette thèse s'inscrit dans le cadre de la conception des systèmes mécatroniques et porte, plus particulièrement, sur le dimensionnement de chaînes d'actionnement et les méthodes à mettre en œuvre pour satisfaire le cahier des charges et réduire au mieux le temps de développement. Afin de suivre l'évolution du marché et faire face à la concurrence croissante, les concepteurs ont eu recours au cycle de conception en Vet au prototypage virtuel. Pour réduire davantage la durée du processus de conception, la formulation du problème de conception sous la forme d'un problème inverse est une solution intéressante. Dans ce contexte, le laboratoire Ampère propose une méthodologie de dimensionnement par modèles bond graph inverses. Ainsi, l'objectif de cette thèse est de contribuer au développement de cette méthodologie d'une part dans sa phase de vérification de l'adéquation des spécifications du cahier des charges à la structure retenue pour le modèle de conception et, d'autre part, par la prise en compte des tolérances dans le problème de conception. Pour la phase de vérification de l'adéquation spécifications/structure, le mémoire présente tout d'abord, l'analyse structurelle du cahier des charges qui permet de vérifier, avant toute simulation et à partir du modèle bond graph, si le problème de conception par modèle inverse est bien posé. Différents niveaux d'analyse sont supposés pour renforcer la démarche chronologique du travail de conception ou de reconception proposée par la méthodologie de dimensionnement. Ensuite, ces niveaux d'analyse sont mis à profit pour définir une procédure de vérification de l'adéquation des spécifications, définies sous forme de comportements type, au modèle de conception. En cas d'inadéquation, des recommandations pour la remise en question des spécifications ou de la structure du modèle de conception sont proposées et ce, selon le niveau d'analyse considéré. Au niveau de l'analyse numérique (le niveau d'analyse le plus bas), cette procédure peut être utilisée pour la synthèse paramétrique ou encore pour la synthèse de tolérance en cas de prise en compte des incertitudes dans le problème de conception. Concernant cet aspect, le mémoire présente également une contribution à la représentation des incertitudes paramétriques dans le formalisme bond graph, formalisme de base de la méthodologie de dimensionnement. Enfin, l'approche probabiliste est utilisée pour la modélisation des incertitudes dans la démarche de dimensionnement des systèmes dynamiques par inversion des modèles bond graph : les deux cas d'inversion, entrées/sorties d'une part (pour la remontée de spécifications), et paramètres/sorties d'autre part (pour la synthèse de tolérances paramétriques), sont abordés. Les règles d'exploitation d'un modèle bond graph probabiliste permettant la propagation des fonctions de densité de probabilité et des grandeurs caractéristiques(espérance et variance) tout le long de la structure énergétique du système sont proposées et illustrées par un exemple
Etude technologique de bicouches polysilicium sur silicium monocristallin destinées à la fabrication de transistors bipolaires submicroniques = Technological study of polysilicon on monocrystallin silicon bilayers destined for submicronic bipolar transistors by Abdelali Merabet( Book )

2 editions published in 1995 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

L'objectif de cette thèse est l'étude technologique de bicouches polysilicium sur silicium monocristallin destinées à la fabrication de transistors bipolaires submicroniques. Les échantillons implantés essentiellement par de l'arsenic(As) et/ou du bore(B) subissent des Recuits Rapides Isothermes (RRI) de 1 à 20 s, typiquement de 1000 à 1150 °c. Les profils SIMS font apparaître un ralentissement de la diffusion du B en présence d'As (configuration: base extrinsèque d'un NPN). L'analyse TEM montre une couche amorphe de 150 nm, produite par l'implantation de l'As. Les mesures de résistance par carré, fonctions du recuit, corroborées par celles d'effet Hall, mettent en évidence l'activation électrique. A partir du simulateur de processus technologiques TITAN V, du CNET-Meylan, nous ajustons les profils SIMS; les coefficients de diffusion augmentent avec la profondeur du polysilicium pour toute température de recuit. Une des principales hypothèses est que l'arsenic tend à saturer les joints de grains, et par là gêne la diffusion du bore, à leurs niveaux. En conséquence, nous explicitons un modèle d'inter-codiffusion, As/B, entre grains et joints. Ce système de quatre équations est résolu par un schéma implicite. Les premières expériences numériques semblent bien valider ce modèle
Caracterisations électriques de matériaux et composants en carbure de silicium = Electrical characterisations of silicon carbide materials and devices by Christophe Raynaud( Book )

2 editions published in 1995 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

[Its good physical and mechanical properties make Silicon Carbide an interesting semiconductor for microelectronics applications under hard conditions. But up to know, the quality of the material and the improvement of technological steps for the elaboration of deviees (ion implantation, etching, oxidation ... ) is a serious limitation). for its high capabilities for high power, high frequency and high temperature applications. This work 1s essentially concentrated on the characterisation of deep and shallow levels, (nitrogen and aluminium), by admittance spectroscopy and by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) in n- and p-type 6H-SiC materials. The activation energies of both nitrogen and aluminium have been determined. From current-voltage measurements, which have been performed on several kinds of structures (Schottky diodes and junctions ), current transport mechanisms have been analysed and micro plasmas have been observed. The temperature dependence of the electron mobility has been studied from current-voltage measurements on unction Field Effect Transistors, taking into account the incomplete ionisation of dopants at room temperature. Finally, Thermally Stimulated Ionic Current measurements have been performed on MOS capacitors in arder to determine the ionic traps and the mobile species in the oxide grown on 3C and 6H polytypes.]
Etude des profils de température dans les plaquettes de silicium multicristallin en cours d'élaboration et simulation d'un système de pilotage du faisceau électronique d'irradiation destiné a diminuer les contraintes d'origine thermique = Study of the temperature profiles in multi crystalline silicon flat plates during elaboration and simulation of an irradiation by electron beam computer aided, intended to decrease the thermal stresses by Said Sof( Book )

2 editions published in 1992 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

La technique EPR (Electron Powder Ribbon) permet l'élaboration des rubans de silicium multi cristallin destinés à la fabrication des cellules solaires en utilisant une ligne de fusion obtenue par déflexion magnétique d'un faisceau électronique. Les forts gradients de température sont la cause principale de l'apparition des contraintes thermiques. Leur élimination nécessite une meilleure connaissance des profils de température. A cette fin, nous avons procédé à une modélisation en 3 dimensions des échanges thermiques ; après localisation et évaluation des contraintes à partir des profils de température obtenus, nous adaptons les paramètres de tir age pour que ces profils soient linéaires. Nous analysons expérimentalement les contraintes résiduelles dans le ruban par photo-élasticimétrie infrarouge assistées par ordinateur (PIRAO). Enfin, nous proposons un système de pilotage du faisceau électronique par ordinateur assurant le dépôt d'énergie le mieux adapté aux conditions thermiques énoncées précédemment
Modélisation de systèmes ago-antagonistes avec mémoire : Application dans le champ du couple endocrinien surréno-post-hypophysaire = Modelisation of ago-antagonistic systems with memory : Application to the field of the endocrine adrenal-post-pituitary couple by Aly Abdalla( Book )

2 editions published in 1992 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Cette thèse a une intention et une finalité ui consiste à introduire l'influence de la "mémoire" dans les modèles dynamiques de régulation de couples ago-antagonis est un modèle développé est appliqué à la simulation du comportement du couple endocrinien surréno-post-hypophysaire. Ce travail s'inscrit donc dans un projet où les modèles mathématiques permettent de simuler des thérapeutiques et ainsi l'ouverture d'un dialogue interactif avec les experts bio-médicaux. Ce mémoire est divisé.s en deux parties; La première débute par''une-étude bibliographique des modèles sans mémoire et principalement des modèles de régulation ago-antagoniste qui sont à l'origine de notre approche. Elle se poursuit par la justification de l'utilisation de la convolution comme formalisation mathématique Je la mémoire ; Nous présentons ensuite les équations du modèle,utilisées pour les simulations; et nous montrons l'intérêt de l'introduction des équations de contrôle. La présentation du problème de l'identification des paramètres du modèle introduit la deuxième partie. Celle-ci consiste en la définition des différents -espaces de travail et en la description de l'algorithme d'identification. Ce processus comporte l'analyse et le lissage des courbes expérimentales, suivi de la formation d'un-système algébrique dont la résolution fournit un champ paramétrique qui sert à initialiser la mise en œuvre des procédures de recherche de la solution optimal. Pour chacune de ces étapes, plusieurs méthodes numériques sont présentées et une comparaison de leurs résultats permet d'argumenter le choix du processus adopté
Contribution à la modélisation globale d'entreprise : décisions et performances dans les systèmes de production = ontribution to the global modeling of entreprise : decisions and performances in production systems by Saïd Miry( Book )

1 edition published in 1993 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Because of their complexity, production systems are usually decomposed according to different hierarchical decision levels. To improve the management of such systems, we focus on the relation between their global profitability measured by economic indicators (cash flow, cost, statement of account, ... )and their productivity measured by physical indicators (make span, quantities of manufactured products, .. ) in this aim, we have built, in a first step, an industrial enterprise model : SIM'I. This prototype, used actually as a pedagogical tool, shows the usefulness of a simultaneous management of the different functions of an entreprise such as marketing, accounting, purchasing and production. In a second step, we have tested, by simulation, different scenarios of management decisions applied on a production system. These decision concerns planning and scheduling. An approach, using technics of data analysis, has allowed us to determine the hierarchical decisions levels, to show dependent or independent relations between indicators at the same levels, to show dependent or independent relations between economic indicators and physical ones and highlight relations of causality between tested strategies and observed performances
L'Integration : quels impacts sur la spécification d'un système de gestion de production assistée par ordinateur ? = ntegration : what about the specification of a computer aided production management system ? by Anne Legait( Book )

1 edition published in 1992 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

De nos jours, la plupart des industriels doivent faire face à un contexte économique en véritable mutation et à un contexte organisationnel qui s'est égale- ment complexifié. Par conséquent, il devient de plus en plus nécessaire de pouvoir identifier les perturbations qui affectent le fonctionnement quotidien de l'entreprise, dans une vision globale et prenant en considération l'interdépendance très forte des fonctions de production. C'est ainsi que le concept d'intégration informatique de la production a tout naturellement vu le jour. En Outre, à la diversité des types de production s'ajoute la diversité des méthodes de gestion de la production ce qui explique les difficultés qu'ont, les industriels à choisir le système informatique de production adéquat. Ainsi, nous proposons d'étudier l'impact qu'aurait le choix d'une structure de décision intégrée et décentralisée sur les caractéristiques des ateliers et les fonctions de l'entreprise
Modélisation et commande en position d'un vérin pneumatique contrôle par un ensemble de 4 (quatre) électrovannes pilotées en modulation de largeur différentielle = Modelling and position control of a pneumatic cylinder operated by means of a set of 4 differential pulse-width modulated electro valves by Régis Kirat( Book )

2 editions published in 1992 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Le travail exposé dans ce mémoire a pour objectif l'étude en simulation et expérimentale des possibilités d'application de la commande par retour d'état au positionnement d'un vérin pneumatique contrôlé par un ensemble de quatre électrovannes tout-ou-rien pilotées en modulation de largeur différentielle. le premier chapitre est consacré à l'examen d'un certain nombre de solutions pneumatiques et hydrauliques, tant en terme de composant qu'en terme de commande de type M.L.I. ou M.L.D. le deuxième chapitre porte sur l'étude théorique et expérimentale du modulateur électropneumatique formé de 4 électrovannes disposées en pont de Wheatstone et pilotées en M.L.D. les essais nécessaires à la caractérisation statique et dynamique à la fois d'une électrovanne et d'un demi pont sont définis dans le but de répondre aux besoins de la simulation et de la synthèse de la commande. les différents modèles non linéaires et linéarisés nécessaires pour la simulation et la synthèse de la commande en position sont établis dans le troisième chapitre en prenant pour point de départ une représentation bond graphs. Ce chapitre comporte une étude détaillée de la méthodologie retenue pour effectuer la synthèse de la commande par retour d'état et d'un exemple d'application de cette méthodologie dans le cas d'un axe de robot. Dans le quatrième chapitre ont étés regroupés les résultats expérimentaux relatifs à l'axe de robot considéré tant du point de vue dynamique que statique. Une comparaison entre les résultats expérimentaux et et simulés permet de juger de la validité de la démarche retenue
Extension de la théorie de la supervision a la surveillance et a la commande des systèmes a évènements discrets : application à la sécurité opérationnelle des systèmes de production = Extension of the Supervisory Control Theory to the Monitoring and to the Control of Discrete Event Systems : Application to Automated Manufacturing Systems Operational Safety by Mustapha Nourelfath( Book )

2 editions published in 1997 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Nous proposons une approche de surveillance et de commande basée sur la théorie de la supervision initiée par les travaux de Ramadge et Wonham (RW). Notre contribution repose sur deux propositions complémentaires. La première concerne la commande et la supervision en fonctionnement nominal. La seconde est relative à la surveillance en vue d'assurer la continuité du service en présence de défaillances critiques. Dans l'approche RW, un procédé est supposé évoluer de façon spontanée et le superviseur se cantonne à interdire l'occurrence d'événements. Néanmoins pour un esprit de commande, il demeure nécessaire de disposer d'un système externe qui force certains événements à se produire dans le procédé. Afin de combler l'écart sémantique existant entre le modèle RW et le comportement de la commande, nous proposons une extension de la théorie de la supervision, basée sur une relaxation du concept de contrôlabilité. Nous introduisons ensuite la structure du module de surveillance orienté Sécurité Opérationnelle dont la synthèse repose sur la théorie RW. La surveillance proposée se compose des fonctions de détection/observation et de compensation/recouvrement. A la détection d'une défaillance, l'observateur active un compensateur qui figera certains superviseurs nominaux conflictuels, libérés qu'après recouvrement. Notre approche s'attache à formaliser les alternances de modes (fonctionnement nominal, dégradé, ...). La modélisation de ces alternances repose sur le concept des macro-actions, dont la représentation par variables Booléennes permet une validation du système global. Les concepts développés sont illustrés et argumentés par une application au site expérimental de l'Atelier Inter-établissements de Productique Dauphiné-Savoie
Contribution à la validation des spécifications algébriques et à l'étude des spécifications algébriques avec contraintes = ontribution to the Validation Of Algebraic Specifications and to the Study of Algebraic Specifications With Constraints by Sylvie Calabretto( Book )

1 edition published in 1993 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

It is nowadays universally recognized that specification plays an important roll in software life cycle. It is admitted that many errors discovered during software maintenance could be avoided if the problem had been initially specified in a more precise and exact way. Present research on specification methods all conclude that a specification must be formal. The algebraic specification method is actually a major research area. The object of the first part of this thesis deals with equational and conditional algebraic specification validation. We show how rewriting techniques allow for automatizing proofs of consistence, sufficient completeness and inductive theorems on algebraic specification. The main results concern the definition of a process for the design validation of algebraic specifications. Methodological elements are proposed through : - an algebraic specification life cycle - techniques of validation - elements of verification. An application, the problem of proportional election, illustrates our methodology. The second part of this thesis deals with the design of a theory of algebraic specification with constraints. Moreover, we propose a definition of constrained narrowing and show how this concept supplies a correct and complete procedure for equation resolution in algebraic specifications with constraints. Finally, we develop a tool based on the proposed theory illustrating its advantages
Contribution à la spécification des systèmes d'information : les réseaux formels pour la spécification des traitements et application à la retro conception de codes = Contribution to the specification of information systems : Specification of processes with Formal Nets and application to reverse engineering of code by Christian Cadivel( Book )

2 editions published in 1997 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Classically, Information System modelling separates data and processes. By analysing the most commonly used tools of process modelling, we realize that these models are more adapted to the analysis and design stage or are too difficult to be validated by an end user. Our aim is to find an information system specification model understandable for the end user, more suitable for process description and reusable by computer practitioners in the design stages. We propose a model called formal net which has the graphic advantages of Petri Net to support the dialogue with the user, and which inherits the exactness of constraint programming by describing without any ambiguity the management rules of the information system. The main concepts of the formal net are places, transitions and constraints. Constraints may be expressed about places (which can approach the notion of abstract data type), marking (defining integrity constraints between places) and transitions (describing dynamic transformations). We illustrate the concepts of formal nets on the famous case IFIP. We show the utility of formal net through the proposition of a reverse engineering method broken down into two steps. The first step consists of translating the instructions of a program into formal net elements according to transformation schemas elaborated for the programming language. The second step consists of simplifying the net stemmed from the previous step, based on formal constraint simplifications and on the contextual knowledge of an expert in the domain. The application on a chain of 3000 program lines in RPS language led to a specification purified of technical aspects introduced during the programming
Caractérisation et modélisation de microtransducteurs de pression a hautes performances intégrées sur silicium = Characterization and modeling of pressure microtranducers of high performances integrated on silicon by Christophe Malhaire( Book )

2 editions published in 1998 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

L'objectif de ce travail etait de modeliser le comportement thermomecanique de membranes composites SiO2/Si et de developper des outils de caracterisation adaptes aux microstructures en silicium pour permettre la conception de microcapteurs de pression piezoresistifs a membrane de type Polysilicium Sur Isolant a hautes performances. Des membranes SiO2/Si de 3 mm de cote et d'epaisseur inferieure a 40 microns, recouvertes par des couches d'oxyde thermique de 0.5 a 2 microns, ont ete realisees par gravure chimique anisotrope du silicium sans couche d'arret dans des solutions KOH+H20. Nous avons etudie le profil des membranes, la rugosite et l'uniformite de la gravure par profilometrie optique. Les epaisseurs moyennes des membranes ont ete determinees avec une incertitude de 0.1 micron par spectrometrie infrarouge a transformee de Fourier. L'origine de la contrainte dans les films d'oxyde sur substrats epais a ete etablie et sa valeur determinee avec une incertitude de 4% par des mesures de courbures moyennes
Amélioration des contacts ohmiques sérigraphies des cellules solaires en silicium multi cristallin = Improvement of screen printed ohmic contacts in multicrystalline silicon solar cell by Hamid el Omari( Book )

2 editions published in 1994 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

As part of the renewable energies development, solar radiation quantum conversion has already reached industrial level. Present production permits to manufacture 0,1 x 0, 1 m2 solar cells at the rate of one per second. The aim of this work was to analyse and study screen printed contacts because of their importance in the component technology and to define a better industrial elaboration method. The analyse was made with the TLM method applied to multi-crystalline silicon. Contacts were studied according to various steps of the solar cells fabrication : influences of silicon dioxide layer (passivation layer) and titanium dioxide (anti reflection coating) were analysed. Thermal treatments steps (sintering and annealing) necessary for contacts realization, were studied in both cases : classical annealing and rapid thermal annealing. In the case of rapid thermal annealing, the influence of ambient gas and cooling speed were taken into account. The improvement is spectacular for the back contact treated at 850°C. In fact, the contact resistivity is divided by ten (compared with the standard processes) when there are a silicon dioxide layer and a titanium dioxide coating between the wafer and the contact. And this resistivity is divided by ten one more time if there is no silicon dioxide coating
Contribution au développement d'une méthodologie d'assemblage automatise par approche stochastique et compliance. : Application à l'insertion de pièces cylindriques sans chanfrein = Development of an Automatic Assembly Method Based on a Stochastic Approach and Compliance : Application to the Insertion of Cylindrical Chamferless Parts by Fernand Badano( Book )

2 editions published in 1993 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Dans cette contribution à l'assemblage robotisé, qui s'inscrit dans la perspective d'une production automatisée, nous proposons une démarche nouvelle pour l'assemblage par robot de pièces cylindriques sans chanfrein. Cette méthodologie originale s'appuie sur une approche stochastique du problème du positionnement relatif des pièces dans un système d'assemblage et inclut une compliance passive ayant des caractéristiques spécifiques.Le développement, la modélisation, l'étude et la validation expérimentale de cette méthode d'assemblage constituent l'essentiel de notre travail. La modélisation fine du processus d'insertion nous a permis de mieux appréhender les phénomènes mis en jeu et nous a guidé dans la mise en œuvre de la méthode; celle-ci consiste à associer une table X-Y asservie suivant ces deux directions et un dispositif compliant passif lié au mouvement d'insertion et possédant deux modes de fonctionnement différents. Un mouvement aléatoire rapide effectué par la table ("bruit rose" à bande passante élevée), combiné à la compliance passive, conduit à l'alignement des pièces et à leur assemblage. Ce mouvement aléatoire contribue également à la diminution des efforts subis par les pièces, ainsi qu'à éviter les situations de coincement pendant l'insertion. La méthode proposée présente des performances remarquables; elle est capable de réaliser l'insertion de pièces cylindriques sans chanfrein à ajustement serré à partir d'un manipulateur de répétabilité moyenne dans un temps très court (inférieur à la seconde) avec un taux de réussite très proche de 100%
Etudes électro-optiques de matériaux SiC : contribution à l'analyse de l'impureté vanadium = Optical and electrical studies on silicon carbide : Contribution to the vanadium impurity analysis by Valérie Séguier Lauer( Book )

2 editions published in 1999 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Le carbure de silicium est sans conteste un matériau aux potentialités intéressantes dans le domaine de la micro-électronique. Ses propriétés électroniques, sa tenue aux températures élevées et sa bonne conduction thermique en font un matériau idéal pour les dispositifs à forte densité de puissance et/ou fonctionnant à température élevée ou à haute fréquence. Cependant, l'avenir du SiC est compromis entre autres par la qualité des substrats et par le problème du contrôle du dopage (du matériau conducteur au semi-isolant). Le travail de cette thèse a consisté à caractériser optiquement et électriquement des substrats 6HSiC et 4H-SiC provenant de la seule source française existant en 1996. Ces études nous ont permis d'identifier les impuretés présentes dans les substrats, qu'elles donnent lieu à des niveaux superficiels ou profonds. Nous avons mis en évidence une contamination des substrats 4H et 6HSiC par l'azote et l'aluminium. De plus, il apparaît que les substrats sont fortement contaminés par le vanadium, métal de transition. Connaissant l'intérêt du vanadium pour réaliser des substrats semi-isolants, nous avons mené une étude plus complète sur cette impureté. Ainsi, nous avons déterminé par DLTS la position du niveau accepteur V3+N4 + (A-/A0 ) dans les substrats 4H et 6H-SiC. De plus, l'étude comparative de spectres d'absorption optique et de DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) nous a permis de mettre en évidence pour la première fois les transitions internes de l'état de charge V3+ (3d2). Nous donnons le schéma de configuration de cet ion dans la bande interdite du 6H-SiC et du 4H-SiC. Enfin, grâce aux mesures de DLOS, nous pouvons positionner expérimentalement les minima des bandes de conduction des polytypes 6H et 4H du carbure de silicium
Simulation du transport des électrons a travers une barrière de potential dans le silicium avec l'équation de Boltzmann = Simulation of electron transport across a potentiel barrier in silicon using the Boltzmann's equation by Pascal Holl( Book )

2 editions published in 1993 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Hot carrier act on voltage breakdown of power semiconductor device, because of hot carrier injection into insulators. In this work, we consider a similar but simple problem of unidimensional electron transport across a potential barrier (a grain boundary). Our aim is a device simulation but not an accurate behaviour study of semiconductor material. The numerical method is based on the distribution function representation with a Hermite function series depending on speed variable ? This report shows numerous simulation and tries to define boundaries of the method. We note that the convergence is more difficult when the observed variable corresponds to a high order moment of the distribution function. More aver, we have found an important 'turbulence » phenomenon after crossing the obstacle (the grain boundary) which corresponds, in a similar way, to turbulence phenomenon in fluid mechanics
Ingénierie de matériaux IV-IV (SiGe, silicium poreux) pour applications aux photopiles silicium à couches minces = IV-IV material engineering (SiGe, -porous silicon) for thin-film silicon solar cell applications by Anis Daami( Book )

2 editions published in 1999 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Cette étude porte sur la faisabilité d'application de l'alliage SiGe et du silicium poreux (SP) et de leur intégration dans les photopiles silicium à couches minces. L'intérêt de cette étude est d'augmenter le rendement des cellules solaires silicium. Le SiGe permet d'accroître le photo-courant grâce à une plus grande absorption dans l'IR. Le SP sert de couche antireflet et de passivation de l'émetteur de la cellule. Nous avons montré par spectroscopie de photoluminescence (PL), que la passivation par nitruration de la surface du silicium poreux, améliore son intensité de luminescence et augmente sa stabilité dans le temps. Ce résultat a été exploité pour améliorer la qualité de passivation au niveau de la photopile. Ensuite, nous avons caractérisé par PL l'alliage SiGe afin de contribuer à une amélioration de sa croissance et diminuer la densité de défauts dans le matériau. Cet alliage est par la suite intégré dans la base active de la photopile. Nous mettons en évidence une très bonne qualité des couches réalisées par CVD et LPE. En effet, nous observons une très faible activité des dislocations que nous corrélons avec des longueurs de diffusion, de porteurs minoritaires, supérieures aux épaisseurs des couches étudiées. Enfin, par des mesures de DL TS sur des photopiles de petites surfaces, nous montrons que les défauts présents dans l'alliage SiGe ne sont pas en concentration suffisante, pour diminuer le rendement d'une cellule solaire. Par cette étude nous avons activement participé à élaborer et conceptualiser la structure d'une photopile SiGe à couches minces. Cette dernière, sans optimisation, présente un rendement comparable à une cellule solaire tout silicium (12.3%). Ceci nous permet d'espérer encore un gain plus important après perfectionnement de la photopile (2% en absolu par rapport au Si)
 
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Institut national des sciences appliquées de Lyon (Lyon). École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique

Institut national des sciences appliquées (Lyon) Ecole Doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique

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