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Balland, Bernard

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Works: 22 works in 33 publications in 1 language and 270 library holdings
Roles: Author, Thesis advisor, Opponent
Publication Timeline
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Most widely held works by Bernard Balland
Optique géométrique : imagerie et instruments by Bernard Balland( Book )

2 editions published in 2007 in French and held by 90 WorldCat member libraries worldwide

Matériaux piézoélectriques : Caractérisation, modélisation et vibration by Michel Brissaud( Book )

2 editions published in 2007 in French and held by 74 WorldCat member libraries worldwide

Prévention et lutte contre la corrosion : Une approche scientifique et technique( Book )

1 edition published in 2004 in French and held by 73 WorldCat member libraries worldwide

Injection et piégeage des porteurs dans la couche d'oxyde des dispositifs MOS : mécanismes de vieillissement by Carole Plossu( Book )

1 edition published in 1984 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

LA MINIATURISATION DES COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES MOS EST LIMITEE PAR DES PHENOMENES DE VIEILLISSEMENT QUI RESULTENT DE L'INJECTION DE PORTEURS CHAUDS A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE DE GRILLE. NOUS AVONS ANALYSE LA REPONSE DE TELLES STRUCTURES MOS A OXYDE MINCE, LORSQU'ELLES SONT SOUMISES A UNE INJECTION D'ELECTRONS DANS SIO::(2) A PARTIR DU SUBSTRAT OU DE LA GRILLE. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE DIVERS PROCESSUS CONDUISANT A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES: IL Y A REMPLISSAGE DES CENTRES DE CAPTURE NATIFS DANS SIO::(2) ET CREATION DE NOUVEAUX SITES DE PIEGEAGE PRES DE L'INTERFACE INJECTRICE; LA GENERATION D'ETATS DE SURFACE LENTS ET RAPIDES A L'INTERFACE SI-SIO::(2) INDUIT UNE DEFORMATION ET UNE FORTE INSTABILITE DES CARACTERISTIQUES CAPACITIVES; ON OBSERVE ENFIN LA DESTRUCTION DES STRUCTURES PAR CLAQUAGE DE L'OXYDE ET DES INTERFACES. L'INFLUENCE DE CERTAINS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES D'ELABORATION TELS QUE LA NATURE DE L'ATMOSPHERE OXYDANTE (SECHE OU HUMIDE, AVEC OU SANS HCL) ET DE LA GRILLE (AL OU SI POLY) EST ETUDIEE. IL APPARAIT QUE LES STRUCTURES MOS LES MOINS SENSIBLES A DE FORTES CONTRAINTES DE CHAMP ET D'INJECTION SONT CELLES DONT LA COUCHE D'OXYDE A ETE ELABOREE EN PRESENCE D'UN FAIBLE POURCENTAGE D'HCL, ET COMPORTANT UNE GRILLE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN
Etude de bore implante a faible énergie dans le système SIO2/Si-MONO : Effet d'un recuit thermique RTA sur la diffusion de l'implant et le spectre de défauts ponctuels = Study of the boron implanted at energy in the oxide / mono-Si system : Effect of an thermal anneal type RTA on the implant diffusion and on the point defect spectrum by Lanouar Kaabi( Book )

2 editions published in 1994 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

La tendance permanente vers la minimisation des dispositifs de l'électronique est à l'origine de nombreux phénomènes physiques liés principalement à l'effet de géomètre. En particulier, l'apparition du phénomène de perçage « punch through » résultant e la réduction des canaux des transistors MOS, exige la mise au point de jonctions à la fois peu profondes et fortement dopées. Une distribution superficielle initiale du dopant implanté donne naissance à des jonctions peu profondes à la suite des différents traitements thermiques ? Afin d'éviter certains phénomènes qui ont tendance à s'opposer à la réalisation des jonctions assez étroites, nous nous sommes particulièrement intéressés à l'implantation du dore à travers une couche protectrice en oxyde. Cette technique permet en l'occurrence de minimiser les effets indésirables du phénomène de la canalisation. La cinétique de la diffusion du bore implanté a été étudiée sous l'effet d'un recuit rapide isotherme selon le budget thermique appliqué. Au cours des traitements thermiques, le caractère transitoire du phénomène de diffusion de l'implant est d'autant plus prononcé que l'épaisseur de la couche protectrice est plus petite que le parcours moyen projeté. De ce fait, le long de cette étude, nous nous sommes intéressées à : -l'influence de la couche protectrice et de son épaisseur, -l'effet d'un recuit rapide isotherme sur la redistribution spatiale du bore, - le nature et l'évolution en terme de concentration apparente qu cours du recuit des principaux défauts électroniquement actifs
Adaptation des méthodes de caractérisation électrique au cas des structures M.O.S. à oxyde très mince : application à l'étude des dégradations sur les capacités à oxyde de grille nitrure = itle : subtitle by Frédéric Seigneur( Book )

2 editions published in 1995 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

[We approach this work by a presentation of current technological problems relative to functioning dissymmetries of some C.M.O.S. devices. The solutions we propose have lead us to introduce basic information on thin oxides and nitrification. We first introduce defects at the Si / SiO2 interface, then we theoretically present the main degradation techniques (carrier injection, irradiation) and their induced defects created in the oxide bulk and at the interface. The second parts dedicated to the experimental development of a set of characterization techniques on M.O.S. structures with thin oxide. We describe the measurement bench and the difficulties we overcame during its development. Then, we present the main capacitance measurements techniques that allow to determine the basic parameters of a M.O.S. structure (C0x, N, V fb etc ... ). We discuss the reliability of results (sensitivity, accuracy) and we propose improvements allowing to bypass some characterization difficulties linked to thin oxides. Concerning fast states, we have developed degradation techniques (F.N, irradiation) and characterization of the Si 1 Si02 interface quality (TERMAN, hf-bf and D.L.T.S. ). We then study in M. O.S. structure, the reasons of the instability due to the slow states, by implementing the tunnel D.L.T.S. method However. we have shown that the use of voltage sources (pulse generators) in specific conditions may cause systematic measurements errors. Taking this into account, we have developed two other techniques also based on the exploitation of capacitance measurements. These methods allow us to experimentally highlight the "slow states" and to study some of their spectral characteristics. Finally, we have applied the whole techniques previously de\'eloped to specific nitrated samples. After presenting their general electrical characteristics, we study and compare the resistance of these structures to two degradation mechanisms : cold carrier injection (F.N.) and Co60 irradiation.]
Etude des défauts électriques associes à l'or et au fer dans le silicium = ld and iron-related electrical defects in silicon by Larbi Selmani( )

1 edition published in 1985 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Nous avons utilisé la diffusion thermique pour introduire des impuretés métalliques dans le silicium afin d'étudier les défauts électriquement actifs associés à celles-ci. Nous nous sommes particulièrement intéressés à l'or et au fer. La technique de spectroscopie transitoire a été employée comme outil de caractérisation. Nous avons analysé l'influence de la concentration d'or introduite sur les propriétés du centre accepteur (Ec - 0,55 eV) qui lui est associé (énergie d'activation et section efficace de capture). Il en ressort que celui-ci est probablement dû à différents états complexes. Dans le silicium dopé bore ayant subi une diffusion de fer, nous avons identifié trois centres profonds en étroite corrélation avec la vitesse de refroidissement. Le premier H(0,43) n'apparaît que lorsque la trempe est efficace et se transmute au cours du temps. Il est dû au fer en site interstitiel. Les deux autres niveaux H(0,4) et H(0,33) sont présents lorsque l'échantillon subit un refroidissement.assez lent. Nous démontrons ainsi que les deux niveaux associés au fer dont l'énergie d'activation est située autour de 0,4 eV sont de nature différente
Nitruration des couches minces d'oxyde de silicium par activation thermique et par simulation electronique, tridation of thin oxide films by thermal activation and by electronic stimulation : physical/chemical analysis and electrical properties by Ahmad Benamar( Book )

2 editions published in 1989 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

La nitration superficielle des couches très minces (130 À) de Si02 est réalisée par différentes techniques : à basse pression et à basse température (BT) ou à haute température (HT) et par recuit thermique rapide ( RTN) à la pression atmosphérique. Le procédé basse pression ( BT ou HT) permet de stimuler la réaction de nitruration à la surface de la silice, empêchant ainsi la diffusion, vers l'interface , des espèces nitrurantes. De même, la RTN évite la migration des espèces azotées et hydrogénées dans la masse de la silice et la redistribution des dopants. L'analyse physico-chimique (SIMS, AES, IRS, RS) a permis de mettre en évidence la nitruration de la surface de la silice, de contrôler les phénomènes de migration d'azote à l'interface Si-Si02 et a révélé les différentes liaisons chimiques (Si-N, Si-H, 0-H, N-H, .. ) susceptibles· d'être à l'origine d'un piégeage-dépiégeage des porteurs. L'analyse électrique des structures de test Al/Oxyde nitruré/ Si-p (mesures capacitives C-V et de conduction I-V) a permis de suivre l'évolution de la tension de bandes plates, de La rigidité diélectrique du matériau et des hauteurs de barrière interfaciales en fonction des conditions de nitruration. Différents types de pièges créés lors de la nitruration ont été détectés et caractérisés (concentration, section efficace de capture et barycentre). La qualité de l'interface (densité d'états Nit) dépend fortement des conditions et paramètres de la nitruration, de la qualité de l'oxyde initial: si 1e désordre interfacial est initialement élevé, il est généralement augmenté après nitruration, l'amplitude de cette variation dépend du mode de nitruration (continu ou séquentiel). En R1N la densité Nit diminue quand le temps de nitruration augmente. Globalement. la nitruration permet d'avoir des isolants de bonne qualité et peut être un procédé de passivation efficace. Si les conditions de nitruration sont optimisées les isolants (oxydes nitrurés) peuvent devenir meilleurs que les oxydes de silicium
Optique géométrique imagerie et instruments by Bernard Balland( )

1 edition published in 2007 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Développement des techniques de caractérisation capacitives by Boudjemaa Remaki( )

1 edition published in 1985 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Les techniques de caractérisation capacitives 1 c-v, DLTS...) des défauts électriquement actifs dans les semiconducteurs sont soumises à des conditions d'utilisation restrictives. Certaines d'entre elles sont inhérentes au principe même de ces techniques -l''étendue relativement faible de la zone prospectée, par exemple- et sont, par suite, irréductibles. D'autres, cependant, résultent de l'insuffisance des modèles analytiques d'exploitation et des performances de l'appareillage. Nous avons consacré une part importante de ce travail à l'analyse et au développement de ces méthodes d'investigation dont nous avons élargi le champ d'application : il en développant une nouvelle technique de infiltrométrie capacitive qui permet de mesurer indépendamment la distribution spatiale des porteurs libres et des centres profonds. ii) en automatisant le dispositif DLTS à l'aide d'un micro ordinateur TRS80. Nous avons, à cette "occasion", élargi la gamme des vitesses d'un facteur 20. iii) en élaborant un modèle analytique simple qui corrige la distorsion induite par une forte concentration en centres profonds; celui-ci a été développé autour de la technique CCDLTS dont nous avons "enrichi" notre chaîne de mesure. L'application à des défauts "connus" (l'or diffusé dans le silicium) nous a rassuré quant à la validité de ces développements. Après les avoir ainsi testées, nous avons utilisé ces techniques pour l'étude des défauts induits par l'implantation ionique dans le silicium. Nous avons alors mis en évidence : il l'indépendance du spectre DLTS des défauts vis à vis de la dose implantée (en dessous du seuil d'amorphisation). iil le rôle critique du recuit thermique des structures implantées à travers un masque protecteur, quant à la formation des défauts. iii) l'importance du processus d'élaboration des structures test -sur la présence des centres E5(O,55eVI) et E3(0,3eV) en particulier- et leur teneur en oxygène
Etude de la migration ionique dans les structures métal-isolant-silicium = udy of ionic migration in metal-insulator-semiconductor structures by Christophe Choquet( Book )

2 editions published in 1989 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

L'évolution de la microélectronique silicium vers le sub-micronique nécessite une qualité d'isolant de grille parfaite. En particulier, il convient d'éviter toute contamination. Après une étude bibliographique critique concernant le problème de la contamination ionique de l'oxyde par diverses impuretés ioniques ( H, Na, K ), nous présentons deux modèles que nous avons développés permettant de connaître la localisation spatiale et énergétique des ions dans les couches isolantes. Pour répondre aux exigences de sensibilité requises par la microélectronique nous avons développé un banc de mesure de la contamination ionique informatisé lequel comporte diverses composantes originales. Nous avons .étudié le comportement du sodium et du potassium dans la silice thermique et avons montré qu'il existe des pièges ioniques communs à ces deux espèces. Nous avons également comparé l'influence de l'iode et du chlore sur le processus de neutralisation de ces ions.alcalins. La migration ionique du calcium dans les structures MOS a été mise en évidence pour la première fois et les divers niveaux pièges ont été déterminés. Nous avons observé la migration ionique du potassium dans les couches de nitrure de silicium déposé CVD et avons caractérisé les niveaux-pièges relatifs à cette espèce, ainsi que sa mobilité. Les résultats obtenus ont été comparés à SiO2
Dépôt chimique en phase vapeur à l'intérieur d'une décharge électrique de courant continu : Application au nitrure de silicium = emical vapor deposition in a DC discharge : Application to silicon nitride by Roger Botton( )

1 edition published in 1991 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

An original process is proposed to perform thin films depositions of dielectric media or polysilicon at low temperature (less than 300°C) and at low pressure (ranging from 1 to 2 torr) in order to obtain films showing good electrical qualities. The gases involved in the chemical reaction were used as the gases of a "fictive" lamp operating in the normal glow discharge domain of a DC discharge. The substrates were placed parallel to the electric field in order to minimize contanmination and damages. Several activation modes can thus operate simultaneously. The "fictive" lamp was a small tunnel oven placed under a vacuum vessel. The electrodes were placed at the two sides of the oven. The samples were placed horizontally and on the bottom of the oven. Reagents were introduced through the anode and evacuated through the cathode. The influence of several parameters acting on· the formation kinetics and on the quality of the layers (pressure, temperature, composition, current intensity, deposition duration, position along the discharge, ...) has been studied. Dielectric films thus manufactured have been analyzed using infrared and Raman spectroscopy. Secondary Ion Mass Spectrometry and ellipsometry. M.I.S. structures have been realized and their electrical characteristics have been investigated
Développement d'une filière technologique CMOS à grille tungstène by Véronique Lubowicki( Book )

2 editions published in 1988 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

La miniaturisation extrême des circuits intégrés ULSI donne une importance primordiale au développement de matériaux de grille à faible résistivité. Bien qu'il satisfasse aux exigences du procédé de fabrication CMOS, le silicium polycristallin fortement dopé, de par sa faible conductivité, devient un handicap pour la rapidité des circuits. Depuis quelques années, les siliciures de métaux réfractaires sont utilisés industriellement. Mais, la taille des grilles des transistors continuant à diminuer, on s'oriente déjà vers des matériaux encore moins résistifs : les métaux réfractaires. Nous avons étudié l'intégration d'un nouveau matériau de grille : le tungstène déposé par LPCVD. Les problèmes liés à cette intégration dans le procédé de fabrication CMOS : le dépôt du matériau, son pouvoir d'arrêt face aux implantations ioniques, sa gravure, sa stabilité thermique, et l'ajustement des tensions de seuil des dispositifs, sont exposés. Des solutions sont proposées. Enfin, nous présentons les principales caractéristiques physiques et électriques des dispositifs à grille tungstène élaborés
Mise au point d'un dispositif expérimental pour l'étude des structures MOS : Application à l'étude du vieillissement des TMOS microniques par la technique de pompage de charge = Development of an experimental apparatus for MOS structures study : application to the study of micronic TMOS aging by the charge pumping technique by Farid Djahli( Book )

2 editions published in 1992 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Après quelques rappels sur les différentes techniques des mesures et des caractérisation des transistors MOS vieillis, en particulier la technique de pompage de charge que nous avons adaptée à notre dispositif expérimental, nous effectuons une étude critique des différents modèles de dégradation des TMOS qui nous ont permis d expliquer nos résultats expérimentaux. Nous décrivons ensuite les détails de réalisation du dispositif expérimental que nous avons mis au point. Ce dispositif, prévu pour l'étude des TMOS, permet la caractérisation de n'importe quelle structure MOS dans une très large gamme de température (77K-400K). Nous présentons enfin la méthode d'extraction paramètres du TMOS vieilli, ainsi que les résultats expérimentaux de vieillissement obtenus sur deux séries différentes de TMOS microniques a canal N, soumis à différents types de contraintes électriques. Ces résultats ont permis d'observer un comportement inhabituel de la transconductance après un vieillissement de courte durée sous forte tension de drain. De même, pour des durées de contraintes plus longues, la tension de seuil présente un comportement particulier. Les mesures de pompage de charge nous ont permis de montrer le caractère non uniforme et très localisé des dégradations engendrées par l'injection de porteurs chauds dans l'oxyde de grille. Nous montrons que le phénomène de piégeage d'électrons et la génération d'états d interface dépendent des conditions des contraintes et des dimensions des transistors
Réalisation et analyse-caractérisation de dispositifs MOS à diélectrique de grille Ta2O5 Fabrication and characterisation of Ta2O5 gate insulator MOS strucutres by Christophe Chanelière( Book )

2 editions published in 1999 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Nos travaux concernent l'élaboration et la caractérisation de dispositifs métal-isolant-silicium réalisés à base d'oxyde de tantale (Ta2O5), un matériau diélectrique à forte permittivité envisagé comme un alternative possible aux films SiO2 et de Si3N4. Les applications visées de TaO5 sont les capacités de stockage des mémoires DRAM et les diélectriques de grille des transistors MOSFET. Les films de Ta2O5 ont été formés per dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPMOCVD) à partir d'un précurseur organométallique (Ta(OC2H5)5) et activé plasma (ECR PECVD) à partir d'une source non-carbonée (TaF5). Les dispositifs réalisés (capacités MOS, transistors MOSFET) ont été caractérisés par diverses méthodes physico-chimiques et électriques. Des films amorphes et cristallins d'épaisseurs variables (de 20 à 60 nm) et déposés sur SiO2 ou Si3N4 ont été étudiés. Nous abordons ce travail par une synthèse bibliographique dédiée aux méthodes de dépôt, propriétés et applications de Ta2O5. Nous présentons dans une deuxième partie les étapes de réalisation des structures et les techniques de caractérisation employées. Sont ensuite développés les résultats obtenus sur les structures capacitives : mesure de la permittivité de TaO5 en phase hexagonale, caractérisation de cette phase, évaluation des courants de fuite en fonction des paramètres de fabrication (méthode de dépôt, influence de divers recuits, structure amorphe ou cristalline). Dans une quatrième partie, nous proposons une procédure de simulation permettant l'identification des mécanismes de conduction dans les structures bi-couches ; cette procédure a été appliquée pour la détermination des mécanismes responsables du transport du courant dans les capacités Ta2O5/SiO2 et Ta2O5/Si3N4. Enfin, nous présentons les résultats obtenus sur les premiers demonstrateurs MOSFET à grille en Ta2O5 déposé à partir de TaF5, ainsi que quelques pistes à suivre pour la réalisation des futurs dispositifs MOSFET à grille en Ta2O5
Influence du désordre d'interface sur les caractéristiques des structures MOS by Bernard Balland( Book )

3 editions published in 1975 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Recherche et analyse des mécanismes physiques responsables de l'évolution dans le temps des structures MIS. Etablissament d'une corrélation entre le profil des caractéristiques électriques (courant, conductance, capacité) et le taux de désordre régnat dans la zone interfaciale qui sépare la couche diélectrique et le substrat semiconducteur, précision sur certianes causes à l'origine de la mauvaise fiabilité des comosants MOS. Proposition d'un modèle physico-chimique reposant sur l'hypothèse de l'existence de liaisons Si-O. Interprétation des éléments MOS sous irradiation
Détection et caractérisation de défauts individuels électriquement actifs dans des cellules mémoires de dispositifs "DRAM" = etection and characterization of single electrically active defects in dram cells by Sylvie Pierunek( Book )

1 edition published in 1997 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

This work deals with characterization of single electrically active defects in the 16 Mbits IBM-Siemens DRAM cells. The 3 dimension structure of these devices has been used to select the defects involved in the response of the cell transistor depending on the applied bias on the different contacts of the device. Two characterization techniques have been used: charge pumping and random telegraph noise. Interaction mechanisms between traps and carriers have been interpreted with the SRH (Schockley Read Hall) formalism taking into account the 3 D effects in the cell. On the other way, the systematic use of numerical simulator MEDICI on a 2 dimensional model of the cell, especially developed for this study, lead us to accurately correlate the charge pumping response of the transistor with the spatial location of the defects in the different parts of the memory cell. These results have been successfully correlated with production test results performed on the full memory. This work constitutes the first approach of in situ electrical characterization of complex devices such as high density memories
Caractérisation et modélisation des propriétés des couches de SiO2 : application aux têtes de lecture-écriture pour disques durs et aux mémoires EEPROM = haracterization and modeling of Si02-films properties : application to read-write heads for hard disk and to EEPROM memories by Silvia Croci( Book )

1 edition published in 2001 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

The work presented in this manuscript develops two different research ways. The first concerns the characterisation of Si02 obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) at low temperature (50°C); the oxygen and silicon precursors are respectively 0 2 and hexamethyldisilazane (HMDS). The aim of this research is the production of oxides of good properties to be used in the fabrication of a new generation of read-write heads for hard disks. The oxides properties have been improved by varying the precursors flux ratio. The second research branch concerns the modeling of tunnel oxides capacitance voltage (C-V) and current-voltage (I-V) electrical characteristics; the considered oxides thickness (around 7 nm) is the one used in the present generation of EEPROM memories. With regard to C-V modeling, we have begun by the classical model in the case of ideal and real structures, that we have extended to the treatment to polysilicon/SiOz/semiconductor structures. In a second time, we have considered the quantum models. Concerning I-V modeling for the studied Si02 thicknesses, the conduction mechanism is Fowler-Nordheim injection (FN). We have considered semi-classical and quantum models for this injection mechanism; particular attention has been paid to approximated models that can be easily integrated in EEPROM memories simulators. Finally, we have proposed a new iterative procedure for precise and reliable FN coefficients extraction. Moreover none of the above models being able to explain the observed conduction of tunnel oxides at very high electric fields (>107 V cm-1 ), we have developed a new model, based on the presence of defects in the oxide, able to explain the FN conduction as well at low that at strong fields. Finally we have evaluated the impact of various technological parameters, as polycide deposition and tunnel oxide N20 nitridation on electrical characteristics of MOS structures
Influence de la technologie de fabrication sur les proprietes electriques des structures capacitives MIS by Marie-Françoise Blanc-Mignon( )

1 edition published in 1990 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

[The shrinkage of the VLSI circuits size, requires research in new gate and dielectric materials. The refractory metals and their silicides advantageous because of a higher conductivity than aluminium and polysilicon. The electrical characterization of tungsten and tungsten silicides gate MOS structures,allows to exhibit the influence of the technological deposition parameters : sputtering and post deposition annealing induce a diffusion of impurities in the oxide and at the interface deforming the capacitance voltage characteristics. The oxide nitridation yields a dielectric better adapted for the VLSI requirements than the simple oxidation of silicon(higher breakdown field impurities barrier). Electrical analysis (capacitance measurement Tunnelling and avalanche injection) ,of the plasma nitrated oxide MIS structure,gives the evolution as a function of the nitration time,of the trapping in the insulating volume and at the silicon insulating interface,as well as the traps characteristics. Plasma nitration improves the dielectric quality when the nitration time does not exceed one hour.Trapping in the volume is decrease and the interface degradation limited. ]
Contribution au développement de nouvelles techniques de pompage de charge pour l'étude des défauts d'interface dans les transistors MOS silicium submicroniques = ontribution to the development of new charge pumping techniques for the study of interface traps in submicronic MOS silicon transistors by Jean-Luc Autran( Book )

1 edition published in 1994 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

Our contribution tums on the study of point defects at insulator-semiconductor interfaces. We have developed, from the experimental point of view, different methods of the charge pumping technique (3-level, spectroscopic, low frequency) in order to study, in smalt geometry silicon MOS transistors, the main properties of electrically active defects at oxide-semiconductor interface. The first part of our work was to develop a high performance instrumentation of all these techniques and to evaluate these methods by comparison with conventional electrical spectroscopy techniques. We have shown that it is possible to determine, by 3-level charge pumping, the energy distribution of interface-trap parameters in the entire semiconductor bandgap for submicronic devices with a gate area of about few square micrometers. These new techniques are used in the second part of our work for studying the physics of the defects of the (100) Si-Si02 system. The case of thin plasma nitrided gate oxides has been particularly investigated, like the characterization of different technologic steps of a submicronic CMOS process. Last, the influence of ionizing radiations (gamma rays) and Fowler-nordheim injection under the charge pumping response of the Si-Si02 system has been analyzed to specify the definition of fast and slow states. Within the framework of this study, we have proposed a new charge pumping method for characterizing, from a spectroscopic point of view, the oxide traps near the interface which can electrically communicate with the substrate via a tunneling mechanism
 
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