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Saint Pé, Olivier

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Works: 7 works in 9 publications in 2 languages and 14 library holdings
Roles: Opponent, Author, Other
Publication Timeline
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Most widely held works by Olivier Saint Pé
ETUDE, REALISATION, MISE AU POINT ET CARACTERISATION DU DISPOSITIF D'ETALONNAGE DE LA CAMERA INFRA-ROUGE DU SATELLITE ISO by Olivier Saint Pé( Book )

2 editions published in 1990 in French and held by 4 WorldCat member libraries worldwide

LA CAMERA DU SATELLITE INFRA-ROUGE ISO PERMETTRA D'EFFECTUER DE L'IMAGERIE SPECTRALE A TRES FAIBLE FLUX ENTRE DEUX ET DIX-HUIT MICRONS, APPROCHANT LA LIMITE FONDAMENTALE DE DETECTION FIXEE PAR LE BRUIT DE PHOTONS DE L'EMISSION ZODIACALE. POUR OPTIMISER LES PERFORMANCES DE CETTE CAMERA, UN DISPOSITIF D'ETALONNAGE INTERNE (DEI) EST NECESSAIRE, PRINCIPALEMENT POUR SUIVRE LES VARIATIONS DE LA REPONSE DES ELEMENTS DETECTEURS DES MOSAIQUES UTILISEES, LA LIMITE DE DETECTION DEPENDANT DANS CERTAINS CAS DE LA QUALITE DES CORRECTIONS DE CHAMP PLAT. LE CHAPITRE INTRODUCTIF PRESENTE LE SATELLITE ISO, LA CAMERA INFRA-ROUGE ISOCAM ET SES PERFORMANCES, IL INSISTE SUR LA NECESSITE D'UN ETALONNAGE AU SOL ET EN VOL POUR UNE EXPERIENCE SPATIALE. LE CHAPITRE SUIVANT DONNE LE CAHIER DES CHARGES A RESPECTER POUR LE DEI ET LES PRINCIPES POSSIBLES EN VUE DE SA CONCEPTION ET SA REALISATION. DIFFERENTS PROTOTYPES SONT ALORS PRESENTES. LE CONCEPT RETENU POUR LE MODELE DE VOL EST PRESENTE AU TROISIEME CHAPITRE, QUI CONTIENT EGALEMENT LA MODELISATION DES PERFORMANCES DU DEI ET LA PRESENTATION D'UN TRAITEMENT OPTIQUE POUR L'INFRA-ROUGE PROCHE. LE QUATRIEME CHAPITRE DECRIT LE BANC CRYOGENIQUE DEDIE A LA CARACTERISATION PHOTOMETRIQUE DU DEI, LE RESULTAT DES MESURES OBTENUES ET LES TESTS COMPLEMENTAIRES EFFECTUES POUR QUALIFIER CE DISPOSITIF D'ETALONNAGE. ENFIN, LE DERNIER CHAPITRE ABORDE L'UTILISATION DE SOURCES ASTRONOMIQUES POUR PARFAIRE L'ETALONNAGE EN VOL AINSI QUE L'OBSERVATION D'OBJETS DU SYSTEME SOLAIRE AVEC ISOCAM
Time-dependent internal Quantum Efficiency and diffusion Modulation Transfer Function of N/P photodiodes by Christelle Peillon( )

1 edition published in 2017 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Caractérisation et modélisation par éléments finis des performances des détecteurs infra-rouge refroidis à petits pas by Jocelyn Berthoz( )

1 edition published in 2016 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Ce travail se consacrera à l'étude des performances électro-optiques sur des détecteurs infrarouges à base de photodiodes. Les performances étudiées seront le rendement quantique qui étudie la capacité de conversion de la diode et la fonction de transfert de modulation qui quantifie la capacité du détecteur à échantillonner les fréquences spatiales. La problématique sera de comprendre les phénomènes impactant ces performances pour permettre leur optimisation et ainsi réduire le temps de développement d'un nouveau produit. Deux moyens sont mis à disposition pour répondre à cette problématique : la mesure et la simulation par éléments finis.Après avoir présenté ces performances électro-optiques, ainsi que leur place dans le Marché de l'infrarouge, des mesures et des simulations de rendement quantique et de FTM seront réalisées pour mettre en avant les phénomènes responsables des performances actuelles. Des technologies plus avancées seront également étudiées par simulation pour rechercher les meilleurs candidats pour les petits pas pixels
Caractérisation par courant induit sous faisceau électronique (EBIC) à basse température de détecteurs infrarouges de 3ème génération by Adrien Yèche( )

1 edition published in 2019 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Des études de caractérisation par courant induit sous faisceau électronique (EBIC) ont été menées sur des photodétecteurs infrarouges (IR) principalement à base de CdHgTe (CMT). Le banc de mesure a été développé pour améliorer le rapport signal à bruit de la mesure et adresser l'ensemble du spectre IR. Des simulations Monte Carlo et des mesures expérimentales sur un motif technologique dédié ont permis de quantifier la résolution spatiale de l'EBIC. Contrairement à une observation à travers de la passivation qui nécessite une énergie suffisante pour injecter des électrons dans la couche active, typiquement 15 keV pour une résolution spatiale d'environ 1,4 µm, une étude en tranche permet de réduire la résolution à environ 40 nm à 2 keV. A forte énergie, le faisceau sonde préférentiellement le matériau massif et les porteurs sont peu influencés par les états d'interface. Une modification de la diffusion des porteurs a été observée avec une augmentation de la longueur de diffusion à fort courant de sonde pour du CMT en technologie p/n dans la gamme MWIR à 300 K et LWIR à 145 K. Les propriétés du semiconducteur sont respectées en faible injection mais la détermination de la longueur de diffusion est d'autant plus précise que le rapport signal à bruit du courant EBIC est élevé, c'est-à-dire à fort courant de sonde et/ou forte énergie. L'influence de la surface coupée a été qualifiée pour les filières n/p intrinsèque et p/n du CMT grâce à la comparaison d'observations en vue de dessus et en tranche. Finalement, la fonction de transfert de modulation a été mesurée pour des photodiodes CMT en milieu matriciel. Contrairement aux mesures optiques, la bonne résolution spatiale de l'EBIC permet d'investiguer les détecteurs IR futurs pour des pas pixel inférieurs à 10 µm
The CMOS Breakthrough for Space Optical Detection: Recent Advances and Short Term Perspectives( Book )

2 editions published in 2005 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Today, both CCD and CMOS sensors can be envisaged for nearly all visible sensors and instruments designed for space needs. Indeed, detectors built with both technologies allow excellent electro-optics performances to be reached, the selection of the most adequate device being driven by their functional and technological features and limits. The first part of the paper presents electro-optics characterisation results of CMOS image sensors (CIS) built with an optimised CMOS process, demonstrating the large improvements of CIS electro-optics performances. The second part reviews the advantages of CMOS technology for space applications, illustrated by examples of CIS developments performed by EADS Astrium and Supa ro/CIMI for current and short term coming space programs
Étude d'imageurs CMOS fortement dépeuplés pour l'amélioration des performances des futurs instruments d'observation spatiaux by Jean-Baptiste Lincelles( )

1 edition published in 2015 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

Ce travail de thèse étudie les moyens d'étendre les zones de charge d'espace des photodiodes PN d'un imageur CMOS afin d'améliorer la collection des charges photogénérées dans le silicium, en particulier dans le proche infra-rouge. Deux possibilités sont abordées : l'augmentation de la tension de polarisation des photodiodes et la diminution du dopage du silicium. Dans un premier temps, une étude théorique articulée autour de modèles analytiques et de simulations TCAD montre les difficultés technologiques pour parvenir à une augmentation de polarisation des photodiodes, ainsi que les conséquences de l'utilisation de substrats résistifs sur les éléments de l'imageur et sur ses performances. Ces simulations permettent de définir les éléments influençant l'extension de la charge d'espace d'un pixel. Sur la base de cette étude, un imageur CMOS à pixel 3T a été développé et fabriqué sur substrat float-zone très fortement résistif afin de valider les observations théoriques. La caractérisation de ce composant confirme la dépendance de la zone dépeuplée à la conception du pixel. Elle démontre également la corrélation entre l'extension des zones dépeuplées et les performances électro-optiques. Des règles de conception sont définies permettant d'optimiser les performances tout en limitant les courants de fuite entre pixels
Developing a method for modeling, characterizing and mitigating parasitic light sensitivity in global shutter CMOS image sensors by Federico Pace( )

1 edition published in 2021 in English and held by 1 WorldCat member library worldwide

L'imagerie à haute-vitesse sans distorsions spatiales est devenue cruciale pour une large gamme d'applications comme la vision industrielle, la reconnaissance du mouvement et l'imagerie de la Terre depuis l'espace. La technologie d'imagerie CMOS a donc évolué vers une modalité de prise de vue appelée « snapshot », grâce au développement des Capteurs d'Image à Obturation Globale. Néanmoins, ce type d'imageurs présente une dégradation des performances due à une sensibilité à la lumière parasite non-négligeable du Nœud de Stockage, qui en limite l'exploitation. Bien que beaucoup de travaux aient été consacrés à la réduction de la Sensibilité à la Lumière Parasite, il existe des interrogations et des manquements relatifs à la caractérisation et la modélisation de cette figure de mérite.Ces travaux s'intéressent au développement d'un cadre pour la modélisation, la caractérisation et l'atténuation de la Sensibilité à la Lumière Parasite dans les imageurs CMOS à Obturation Globale.Le cadre se base sur le développement d'une métrique pour la caractérisation, d'une méthode de simulation et de différentes méthodes de correction en post-traitement dans le but de faire émerger des recommandations pour la conception et d'augmenter les performances des imageurs de manière efficace et peu coûteuse
 
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