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Quéré, Raymond

Overview
Works: 94 works in 154 publications in 2 languages and 2,064 library holdings
Roles: Thesis advisor, Other, Editor, Author, Opponent, Illustrator
Publication Timeline
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Most widely held works by Raymond Quéré
Stability analysis of nonlinear microwave circuits by Almudena Suárez( )

18 editions published between 2002 and 2003 in English and held by 1,875 WorldCat member libraries worldwide

Annotation
Méthodes d'analyse et propriétés de dispositifs hyperfréquences( Book )

3 editions published in 2007 in French and held by 69 WorldCat member libraries worldwide

Special issue on 35th European Microwave Conference : [(EuMC), Paris, France, October 3-7, 2005] by 2005, Paris> European Microwave Conference. <35( Book )

2 editions published in 2006 in English and held by 5 WorldCat member libraries worldwide

Communication et connaissance : supports et médiations à l'âge de l'information by Jean-Gabriel Ganascia( )

1 edition published in 2020 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Depuis 25 ans, les technologies de l'information et de communication ont transformé le monde. En quelques années, le commerce, la finance, les échanges, l'école, le travail, la culture, la politique, etc. se sont totalement modifiés du fait de leur développement. Qu'on se remémore quelques-unes des étapes les plus marquantes de ces évolutions : apparition des mini puis des micro-ordinateurs, nouvelles interfaces avec utilisation de la souris et métaphore du bureau, essor des hypermédia, popularisation du Web, nomadisme généralisé, informatique vestimentaire, intelligence d'ambiance... Les changements ont été imaginés, conçus, développés, expérimentés dans des laboratoires de recherche. Partout, la recherche a pris, et continue de prendre, une part déterminante. Or, il est parfois difficile de discerner ce qui relève de la recherche fondamentale et du travail universitaire, de ce qui correspond à l'innovation industrielle. Qu'est-ce qui distingue la « R. et D. » -- la recherche et développement Industriel -- de la recherche universitaire ? Quelle part cette dernière prend-elle exactement dans l'innovation ? Quel rôle sera-t-elle amenée à jouer dans les prochaines années ? Telles sont les questions auxquelles nous avons voulu répondre en publiant un ouvrage destiné aux ingénieurs, aux chercheurs, aux décideurs et, plus généralement, à l'honnête homme du début du xxie siècle qui souhaite comprendre le sens des évolutions technologiques actuelles
Techniques de réduction d'ordre des modèles de circuits haute fréquence faiblement non linéaire by Francisco Javier Casas( Book )

3 editions published in 2003 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The work reported deals with system-level modelling techniques of microwave circuits commonly employed in emission and reception telecommunications channels. The need of reduced models for simulation of communication systems is discussed, and the state of the art of this activity is summarized in the first chapter. The second chapter focus on model reduction methods for pumped and non-pumped circuits exhibiting a linear input-output behaviour. Then, in the third chapter, a model reduction technique for pumped weakly non linear circuits with memory is presented. In the fourth chapter, the proposed methods are applied to the modelling and simulation of a transmitter and receiver. Finally, the conclusions and perspectives of this work are summarised
Modélisation electrothermique non linéaire de transistors de puissance LDMOS : Application à la détermination de règles d'échelle by Mickaël Guyonnet( Book )

2 editions published in 2005 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

The growth of wireless communication requires designing low cost, linear and high efficiency RF power amplifiers. The Power required for these amplifiers sometimes exceeds 120 W with a supply voltage lower than 30 y, The silicon LDMOS technology provides a good solution to these requirements. The design of RF power amplifiers is best achieved through the usage of non-linear electro thermal model, integrated in a circuit simulator. Several Electro thermal models have been developed, however none of them. include the full thermal response of intrinsic components. ln this thesis, we propose a new approach based on electric and thermal response of intrinsic components coupled to a thermal circuit The electrical description of each intrinsic component is done with Tri-Cubic Splines. The thermal circuit is stemmed from. FEM simulator Ansys, reduced by the Ritz's vector method proposed by IRCOM. From an initial model, we define scaling ruIes to obtain model of bigger transistors without re-executing ail the extraction process
Amélioration de modèles électroniques de composants de puissance de type TBH ou pHEMT et application à la conception optimale de modules actifs pour les radars by Christophe Chang( Book )

2 editions published in 2004 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

The aim of this work is the development of an operational tool integrating an electrothermal model in a circuit simulation environment. In order to make it available in an industrial context, this tool is based on two commercial simulators : a 3D thermal simulator (ANSYS) and a circuit simulator (ADS provided by Agilent). The first step of the method consists in the generation of a precise thermal component model described in the finite element simulator. Then a reduction process developed by the IRCOM (Institut de Recherches en Communications Optiques et Microondes, France) and associated with the ANSYS reduction technique, are used to obtain a reduced thermal model compatible with circuit simulators such as ADS. Finally, this model coupled with a non-linear electrical model, allows designers to deal with precise electrothermal simulations of high power circuits or actives modules. Moreover, the thermal model can take into account the non-linear behavior of the thermal conductivity of the component's materials and can be applied for steady state or transient analyses
Nouvelles méthodes d'analyse de stabilité intégrées à la C.A.O : des circuits monolithiques micro-ondes non linéaires by Sébastien Mons( Book )

2 editions published in 1999 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

LE THEME ESSENTIEL DE CETTE THESE CONCERNE L'ANALYSE DE LA STABILITE LINEAIRE ET NON LINEAIRE DES CIRCUITS ELECTRONIQUES ET PLUS PARTICULIEREMENT DES CIRCUITS MONOLITHIQUES MICROONDES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL CONSISTE A ETABLIR UN FORMALISME DE STABILITE RIGOUREUX SUSCEPTIBLE DE S'ADAPTER A N'IMPORTE QUEL ENVIRONNEMENT C.A.O. DE CONCEPTION. LE FORMALISME SE BASE SUR LA TRANSPOSITION DES PRINCIPES DE STABILITE LIES A L'AUTOMATIQUE DANS LE DOMAINE SPECIFIQUE DES MICROONDES. LA GENERALISATION DU PRINCIPE DE RETOUR DE NIVEAU DANS LES CONDITIONS D'EQUILIBRAGE PERMET DE RESOUDRE LES PROBLEMES DE CONDITIONNEMENT DU DETERMINANT (LIES AU FORMALISME CONVENTIONNEL DE STABILITE). LE FORMALISME A ETE DEFINI THEORIQUEMENT PUIS IMPLANTE DANS L'ENVIRONNEMENT C.A.O. DE LIBRA ET MDS. IL PERMET L'ETUDE DE STABILITE D'UN POINT DE POLARISATION QUELCONQUE ET CELLE D'UN REGIME GRAND SIGNAL RF POUR DES CIRCUITS COMPLEXES, AUTONOMES OU NON-AUTONOMES. L'ETUDE ET LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DE CIRCUITS MMICS COMPLEXES ET VARIES ONT PERMIS DE VALIDER CETTE METHODOLOGIE DANS LE DOMAINE LINEAIRE, OSCILLATEUR EN ANNEAU, AMPLIFICATEUR BANDE C, AMPLIFICATEUR LARGE BANDE ET NON LINEAIRE : TRANSISTOR MULTI-DOIGTS, AMPLIFICATEUR BANDE KU, OSCILLATEUR CONTROLE EN TENSION
Etude des potentialités du chaos pour les systèmes de télécommunications : Evaluation des performances de systèmes à accès multiples à répartition par les codes (CDMA) utilisant des séquences d'étalement chaotiques by Stéphane Penaud( Book )

2 editions published in 2001 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE SYSTEMES DE TELECOMMUNICATION LARGE BANDE UTILISANT DES FORMES D'ONDES CHAOTIQUES. LES POTENTIALITES DU CHAOS POUR L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DES SYSTEMES DE COMMUNICATION SONT ANALYSEES EN TERMES DE TAUX D'ERREURS BITS(TEB) ET D'EFFICACITE SPECTRALE. UNE SYNTHESE DE LA THEORIE DES SYSTEMES DYNAMIQUES QUI EST A LA BASE DE L'ETUDE DE TOUT SYSTEME EN REGIME CHAOTIQUE EST PRESENTEE DANS UNE PREMIERE PARTIE. LES DIFFERENTES ROUTES VERS LE CHAOS SONT EXPLIQUEES AINSI QU'UNE METHODE DE SYNCHRONISATION DU CHAOS. DEUX GENERATEURS DE CHAOS ONT ETE DEVELOPPES. LE PREMIER EST LE FRUIT D'UNE REALISATION EXPERIMENTALE ET A ETE IMPLEMENTE EN ANALOGIQUE, LE SECOND RESULTE D'UNE SIMULATION A PARTIR DE DSP. CES GENERATEURS ONT POUR OBJECTIF LA GENERATION DE SEQUENCES D'ETALEMENT CHAOTIQUES POUR DES SYSTEMES DS-CDMA. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE PRESENTE UN SYSTEME CDMA (CODE DIVISION MULTIPLE ACCESS) ASYNCHRONE A ETALEMENT DE SPECTRE PAR SEQUENCE DIRECTE UTILISANT DES SEQUENCES D'ETALEMENT CHAOTIQUES. DEUX TYPES DE SEQUENCES CHAOTIQUES SONT UTILISES : DES SEQUENCES BINAIRES PUIS DES SEQUENCES MULTI-NIVEAUX. DANS LES DEUX CAS DE FIGURE, LES BITS D'INFORMATION NE SONT JAMAIS ETALES AVEC LE MEME MOTIF. EN PLUS DE L'ETALEMENT DE SPECTRE, LE SYSTEME PROPOSE REALISE UN CODAGE DYNAMIQUE DE L'INFORMATION. LE TAUX D'ERREURS BITS OBTENU AVEC LE SYSTEME PROPOSE EST ENSUITE COMPARE A CELUI OBTENU EN UTILISANT DES SEQUENCES PSEUDO-ALEATOIRES DE TYPE GOLD. CE MEMOIRE PRESENTE EGALEMENT UNE ETUDE PRELIMINAIRE SUR UN SYSTEME CDMA A ETALEMENT DE SPECTRE PAR SAUTS DE FREQUENCE CHAOTIQUES
Caractérisation en impulsions des transistors microondes : application à la modélisation non linéaire pour la c.a.o. des circuits by Jean-Pierre Teyssier( Book )

2 editions published in 1994 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

UN EQUIPEMENT DE TEST DES TRANSISTORS MICROONDES A ETE DEFINI ET MIS EN PLACE. LES CARACTERISTIQUES CONVECTIVES ET HYPERFREQUENCES SONT MESUREES SIMULTANEMENT POUR TOUT LE DOMAINE DE FONCTIONNEMENT PAR UNE METHODE D'IMPULSIONS AUTOUR D'UN POINT DE POLARISATION. CETTE TECHNIQUE PAR IMPULSIONS ETEND LE DOMAINE DES MESURES QU'IL EST POSSIBLE D'EFFECTUER SUR LES TRANSISTORS MICROONDES. LES EFFETS DE LA DERIVE THERMIQUE ET DES PHENOMENES DISPERSIFS DONT LES TRANSISTORS PEUVENT ETRE L'OBJET SONT EVITES LORS DES CARACTERISATIONS UTILISANT LE PRINCIPE DE MESURES EN IMPULSIONS DEVELOPPE DANS CE RAPPORT. LA COHERENCE DES MESURES CONVECTIVES ET HYPERFREQUENCES PRATIQUEES SUR LES TRANSISTORS MICROONDE EST VERIFIEE, DES MODELISATIONS NON LINEAIRES HYPERFREQUENCES DES TRANSISTORS PAR EQUATIONS ET PAR TABLES SONT PROPOSEES. UNE AUTOMATISATION POUSSEE DU BANC DE MESURE ET UN TRAITEMENT SYSTEMATIQUE DES RESULTATS A L'AIDE D'UNE BASE DE DONNEE DES MESURES ONT PERMIS DE MENER A BIEN L'ELABORATION DE NOUVEAUX MODELES DE TRANSISTORS DESTINES A LA C.A.O DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES. L'ENSEMBLE DES RESULTATS PRESENTES JUSTIFIE LA MISE EN UVRE DE LA TECHNIQUE DES MESURES HYPERFREQUENCES PAR IMPULSIONS POUR CARACTERISER ET MODELISER LES TRANSISTORS DES CIRCUITS ET SYSTEMES MICROONDES
Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction : application à la conception non linéaire d'amplificateurs de puissance optimisés en température by Marie Anne Pérez( Book )

2 editions published in 1998 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE
Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences by Emmanuel Gatard( Book )

2 editions published in 2006 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

P-I-N diodes are widely used in active, passive microwave applications including phase shifters, switches, attenuators and limiters. An accurate prediction of electrical behavior, reliability and thermal management of semiconductor power devices goes through the coupling of thermal models with electrical models. Conventional p-i-n diode models at microwave frequencies are simply current controlled resistance without nonlinear effect and temperature dependence. In this context, the diode electrical behavior was largely studied thanks to physics-based simulations. Thus, a nonlinear electrical model was developed in forward as in reverse bias operation and implemented in a commercial circuit simulator. A nonlinear thermal reduced model of the diode was also developed from a 3D finite element description and implemented in a circuit simulator. Finally, a nonlinear electrothermal p-i-n diode model was proposed and successfully validated with small and large signal measurements. The developed model was used to enable the simulation of high power S band limiters
CONTRIBUTION A L'ANALYSE DE LA STABILITE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES. APPLICATION A LA C.A. DE DISPOSITIFS MICROONDES by Raymond Quéré( Book )

2 editions published in 1989 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

CE TRAVAIL PROPOSE UNE ETUDE DE LA STABILITE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES MICROONDES, BASEE SUR LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE OU SPECTRAL. CE TYPE D'ANALYSE EST UN COMPLEMENT INDISPENSABLE DE LA METHODE D'EQUILIBRAGE QUI PERMET DE VALIDER DES SOLUTIONS DONT LA NATURE EST CHOISIE A PRIORI ET CONSTITUE DONC UN MODULE INDISPENSABLE POUR OBTENIR DES SOLUTIONS SURES. LA METHODE D'ANALYSE EST BASEE SUR LA THEORIE DE NYQUIST ET SUR LA THEORIE DES BIFURCATIONS. ELLE A ETE APPLIQUEE AVEC SUCCES A L'ETUDE DE DIVISEURS DE FREQUENCE AINSI QU'A LA DETERMINATION DE LA STABILITE DU POINT DE POLARISATION D'UN DISPOSITIF A TEC. ELLE PERMET UNE ANALYSE APPROFONDIE DES COMPORTEMENTS DYNAMIQUES DES CIRCUITS NON-LINEAIRES QUI DOIT CONDUIRE A UNE CONCEPTION PLUS REFLECHIE DES DISPOSITIFS MICROONDES MONOLITHIQUES
Plate-forme SCILAB de simulation intégrée circuits/composants by Zouheir Riah( Book )

2 editions published in 2005 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This work presents the development of a global simulation platform around Scilab software which integrates a physical model of heterojunction bipolar transistor and the circuit simulation. The first chapter presents the various types of simulation which coexist and which are necessary to design a MMIC circuit, the Scilab platform as well as the RNTL-GASP project. We have developed in the second chapter a toolbox taking into account of all the possible forms of coupling method between physical equations and the circuit environment. We can now calculate the various transistor steady state operations, which can be linear or not in the time and frequency domain. This toolbox is used in the third chapter to analyse and understand physics based noise phenomena in semiconductor devices. In fact, we have used the linear perturbation method to introduce local noise sources inside the device in order to calculate the noise spectral densities at these contacts. Finally, the last chapter shows the interest of this kind of approach to model and simulate physics phenomena. The demonstrators concern two examples which are the Kirk effect and the transient integral charge control
Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges by Olivier Jardel( Book )

2 editions published in 2008 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This report deals with the modeling of microwave power transistors, and particularly GaInP/GaAs HBTs and AlGaN/GaN HEMTs for X-band applications. AlGaN/GaN HEMTs have been commercialized recently, hence there is a need for accurate models allowing to describe their electrical characteristics in order to design power amplifiers. The model proposed for AlGaN/GaN HEMTs includes a description of the electrothermal effects and the trapping effects, to improve the accuracy and the validity range of the classical models
Modélisation de fonctions élémentaires d'une chaîne radio pour des liaisons haut débit by Aymeric Le Brun( Book )

2 editions published in 2006 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This thesis deals with the development of optimized simulation tools, for high rate radio communications working into the Ku frequency band, thanks to an user-defined model creator. This study has been made in collaboration with the University of Limoges and the THALES Communications corporation. The first part presents the specifications and the software, used during these works, which allow to create our own models. In the second part, we present models of emission/reception chain elements, from the modulation generator to carrier recovery systems. The oscillators phase noise, dominating in the high rate links using a phase modulation, is the object of a separate study, in the third part, because of its importance and because it is present during the emission/reception chain. We present its created temporal model, using a frequency logarithmic interpolation. Finally, the last part presents full radio chain simulations, using a 8PSK modulation in the Ku frequency band. The obtained results for the phase noise are validated by THALES Communications measures
Modélisation non linéaire des mesfets sur carbure de silicium pour l'amplification de puissance micro-ondes by Delphine Siriex( Book )

2 editions published in 2000 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Modélisation non-linéaire de transistors microondes : Application à la conception d'amplicateurs de puissance en technologie M.M.I.C by Jean-Pierre Viaud( Book )

2 editions published in 1996 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MICROONDES, APPLIQUEE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. APRES UN RAPIDE TOUR D'HORIZON DES TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISABLES AUX FREQUENCES MICROONDES, NOUS PRESENTONS UN EQUIPEMENT DE TEST, BASE SUR LA TECHNIQUE DE MESURES EN IMPULSIONS. CETTE METHODE DE CARACTERISATION PERMET D'OBTENIR AVEC PRECISION LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MICROONDES. ENSUITE, LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION EST TRAITEE D'UNE MANIERE DETAILLEE DANS CE MEMOIRE. NOUS TROUVERONS ENTRE AUTRES, UNE ETUDE DES NON LINEARITES DES TRANSISTORS EN FONCTION DES COMMANDES APPLIQUEES, AINSI QUE DIFFERENTES METHODES POUR LA RECHERCHE ET L'OBTENTION DES PARAMETRES D'UN MODELE, APPLIQUEES A CHAQUE TYPE DE TRANSISTOR. LES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DISTRIBUE LARGE BANDE A TBH SONT PRESENTEES. CET AMPLIFICATEUR A ETE OPTIMISE EN PUISSANCE DANS LA BANDE DE FREQUENCE 2-8 GHZ, A PARTIR DES MODELES NON LINEAIRES MIS AU POINT DANS CE MEMOIRE, ET A FOURNI UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 27.5 DBM
Modélisation électrothermique de transistors MESFET SiC et optimisation d'une architecture Doherty pour l'amplification de puissance à haut rendement by Nicolas Dubuc( Book )

2 editions published in 2003 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Dans un premier temps, une description technologique du Carbure de Silicium et le développement d'un modèle physique analytique électrothermique de transistors MESFET SiC a été effectué. Ce modèle permet de prendre en compte les paramètres physiques, géométriques et l'état thermique du composant. Il a été intégré dans un environnement de CAO des circuits. La comparaison de mesures en puissance de type " Load-Pull " et de simulations non-linéaires sous ADS a permis de valider ce modèle. Cette filière technologique présente des potentialités intéressantes pour des applications de forte puissance. Les performances en puissance des amplificateurs peuvent être améliorées, notamment pour des niveaux d'utilisation différents ou des enveloppes variables, à condition de rechercher des techniques d'amélioration des performances en terme de rendement électrique et de linéarité. Le deuxième objectif de ce travail est l'optimisation d'une architecture Doherty deux étages pour l'amplification de puissance. La définition d'une méthodologie de conception propre à cette technique et la mise en œuvre de solutions innovantes pour la réalisation du circuit de charge a permis d'obtenir un haut rendement en puissance ajoutée pour des niveaux de puissance d'entrée différents. Compte tenu de résultats très encourageants obtenus, nous avons montré que la plage d'amélioration du rendement pouvait être augmentée grâce à une gestion dynamique de l'amplificateur par le biais de la polarisation de grille de l'amplificateur auxiliaire en fonction du niveau d'entrée. Pour vérifier l'intérêt de cette méthode, un amplificateur hybride de puissance a été conçu avec des transistors MESFET en technologie AsGa à 900 MHz. Un système de détection d'enveloppe et de commande de la polarisation de l'amplificateur a été développé. Différentes comparaisons expérimentales avec ou sans le système de commande de la polarisation de l'amplificateur ont validé l'intérêt de la méthode développée
Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde by Christophe Charbonniaud( Book )

2 editions published in 2005 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

The aim of this study is to assess the potentialities of HEMTs AlGaN/GaN transistors for power amplification at microwave frequencies, thanks to a bench in pulsed I(V) and [S] parameters measurement, and to propose a precise model of this type of transistor easily implemented in circuit C.A.D software. After considering the different technologies available on the market for power amplification, wide gap HEMTs transistors based on Gallium Nitrides appear as natural candidates for these applications (Johnson's Figures of Merit,...). However these more than promising transistors are not infallible. Indeed, several restrictive phenomena inherent to GaN technology, that is to say selfheating and trapping effects, must be taken into account in the process of designing microwave circuits. A study of these various restrictive phenomena in terms of power is carried out. Lastly, a non-linear electrothermal model of a HEMT 8x125 µm transistor is presented, and validated thanks to two functional measurement benches (Load-Pull Bench and LSNA Bench)
 
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Stability analysis of nonlinear microwave circuits
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Quere, Raymond

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