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Xavier, Marie

Overview
Works: 28 works in 56 publications in 3 languages and 512 library holdings
Roles: Editor, Thesis advisor, Opponent, Author, Other, Publishing director
Classifications: T174.7, 621.38152
Publication Timeline
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Most widely held works by Marie Xavier
Semiconductor modeling techniques by N Balkan( )

14 editions published between 2012 and 2014 in English and German and held by 440 WorldCat member libraries worldwide

"This book describes the key theoretical techniques for semiconductor research to quantitatively calculate and simulate the properties. It presents particular techniques to study novel semiconductor materials, such as 2D heterostructures, quantum wires, quantum dots and nitrogen containing III-V alloys"--Back cover
Images & mirages @nanosciences regards croisés( Book )

3 editions published in 2011 in French and held by 32 WorldCat member libraries worldwide

Sur la 4e de couv : "Artistes, physiciens, chimistes, biologistes, philosophes, sociologues, critiques d'art et galeristes abordent les impacts d'outils scientifiques tels que les microscopes à sonde locale et la construction qu'ils permettent d'une pensée visuelle basée sur le rapport entre le perçu et le réel. Les images scientifiques sont également détournées par les artistes qui leur confèrent de nouveaux sens."
Apprentissage symbolique de concepts disjonctifs : un modele logique et un algorithme de graphes by Xavier Marie( Book )

2 editions published in 1989 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

FORMALISATION D'UN PROBLEME MAJEUR DE L'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE: L'ACQUISITION DE CONCEPTS STRUCTURES DE NATURE DISJONCTIVE. LE MODELE ELABORE ADAPTE UN PARADIGME DEDUCTIF DE LA GENERALISATION DANS UN CADRE LOGIQUE DU PREMIER ORDRE
Pompage optique orienté dans les puits quantiques : études dynamiques by Bruno Baylac( Book )

2 editions published in 1995 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

NOUS AVONS UTILISE LES RESSOURCES DU POMPAGE OPTIQUE ORIENTE DYNAMIQUE POUR METTRE EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT DES PHENOMENES PHYSIQUES, ET ANALYSER LES MECANISMES MICROSCOPIQUES QUI LES ENGENDRENT. TROIS THEMES SONT ABORDES: 1) PROCESSUS DE FORMATION DE L'EXCITON ET EQUILIBRE DYNAMIQUE EXCITON-PORTEURS LIBRES. 2) MESURE DU TEMPS DE RELAXATION DU SPIN DU TROU DANS LES PUITS QUANTIQUES INTRINSEQUES ET DOPESN. 3) PHENOMENES COLLECTIFS DANS LES SYSTEMES EXCITONIQUES DENSES: DEPLACEMENT SPECTRAL DE LA LUMINESCENCE. PHENOMENES RAPIDES DE RELAXATION DU SPIN
Dynamique de spin des excitons neutres ou chargés dans les boîtes quantiques InAs/GaAs by Mathieu Sénès( Book )

2 editions published in 2004 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

We have investigated the carriers spin dynamics in neutral, N-doped and P-doped self-organized InAs/GaAs quantum dots. In time resolved photoluminescence experiments, we have observed quantum beats of the neutral exciton spin, allowing us to mesure the energy splitting between exciton eigenstates. In a longitudinal magnetic field, we have determined the Lande g factor of the quatum dots excitons. We have also studied spin dynamics in negatively doped quantum dots. Independent of the number of doping electrons in the dot, we observe a luminescence with a circular polarisation opposite to the excitating laser. We propose a model based on the anisotropic exchange interaction between electrons and holes to explain this result. We also demonstrate that it is possible to manipulate the doping electron spin with non resonant optical excitations. We have performed polarisation resolved experiments on positively charged quantum dot samples, and we have confirmed the electron spin relaxation quenching under strictly resonant excitation. Under non resonant excitation, the observed spin dynamics in P-doped quantum dots can be explained with the flip-flop mechanism, dominant in N-doped quantum dots
Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs : propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte by Anouar Jbeli( Book )

2 editions published in 2003 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques semiconductrices "auto-assemblées" du type InGaAs/GaAs. Les propriétés de spin et les conséquences du couplage électronique entre boîtes sur les propriétés optiques sont étudiées par spectroscopie de photoluminescence résolue en temps à l'échelle picoseconde. L'enregistrement de la dynamique de polarisation linéaire de la photoluminescence réalisée dans des conditions d'excitation strictement résonante sur l'état fondamental les boîtes permet de démontrer le blocage de la relaxation de spin dans ces structures 0D à basse température. La dépendance de la dynamique de polarisation de la photolum- inescence avec la température met d'autre part en évidence le rôle clé joué par la diffusion vers les états excités de trou par interaction avec les phonons LO. Nous avons d'autre part étudié le couplage électronique vertical entre boîtes dans des structures multi-plans avec une épaisseur de barrière variable Les expériences de spectroscopie de photoluminescence résolue en temps réalisés dans des conditions d'excitation non-résonante (dans la barrière) ou strictement résonante sur les niveaux électroniques fondamentaux des boîtes montrent l'efficacité de cette technique pour sonder la délocalisation spatiale des fonctions d'onde liée au couplage électronique. Les conséquences de ce couplage électronique sur les propriétés optiques (décalage spectral, forces d'oscillateur, comportement en température,..) et sur le couplage électron-phonon sont discutés
Electrical control of the electron spin dynamics in [111]-oriented GaAs/AGaAs quantum wells by Quang ha Duong( Book )

2 editions published in 2013 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

We have studied the electron spin dynamics in <111>-oriented GaAs/AlGaAs quantum wells grown on <111>-substrate by time-resolved photoluminescence spectroscopy. By applying an external electric field about 50 kV/cm along growth direction, we observed the spectacular increase of electron spin which can attain values greater than 30 ns. This phenomenon comes from the electrical control of spin-orbit interaction in conduction band that make the Rashba term compensate exactly with the Dresselhaus term. The cancellation effect of these two terms results in the suppression of electron spin relaxation induced by D'yakonov-Perelmechanism which is dominant in undoped quantum wells and at the temperatures greater than 50K. The measurement under an external transverse magnetic field (Voigt configuration) demonstrates that the spin relaxation times in three spatial directions are also controlled simultaneously by electric field. The "total" control of electron spin relaxation can only be observed in <111>-oriented quantum wells. Finally, we also develop the model to interpret the experimental measurement of spin relaxation anisotropy depending on electric field in <111>-oriented quantum wells
SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES. COUPLAGE ELECTRON-RESEAU : ASPECT STATIQUE ET DYNAMIQUE by Xavier Marie( Book )

2 editions published in 1991 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

DEUX ASPECTS DE LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES SONT ABORDES DANS CE MEMOIRE. D'UNE PART, ON TRAITE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS (IN,GA)AS/GAAS. UN MODELE BASE SUR LA THEORIE ELASTIQUE EST FORMULE AFIN D'INTERPRETER LES POSITIONS DES RAIES SPECTRALES OBSERVEES. NOUS AVONS APPLIQUE CETTE ETUDE PHYSIQUE AU CHOIX DES CARACTERISTIQUES DES PUITS PERMETTANT L'OPTIMISATION DES STRUCTURES LASERS. D'AUTRE PART, NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE STATIONNAIRE ET RESOLUE EN TEMPS DE REFROIDISSEMENT ET LA LOCALISATION SUR LES RUGOSITES D'INTERFACE D'EXCITONS DANS DES MULTI-PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON COUPLES. LA MODELISATION DE L'INTERACTION EXCITON-PHONON DANS CES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MET EN EVIDENCE UN RENFORCEMENT DU TAUX DE PERTE D'ENERGIE DES EXCITONS DU FAIT DE L'INTERACTION PAR POTENTIEL DE DEFORMATION ACOUSTIQUE PAR RAPPORT AU CAS DU MASSIF. UN MODELE DE LOCALISATION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE EXCITONIQUE PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DES DYNAMIQUES EXPERIMENTALES D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE EST FORMULE
Dynamique de relaxation de spin dans les boîtes quantiques auto-organisées InAs/GaAs by Mathieu Paillard( Book )

2 editions published in 2001 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

We have investigated the carrier dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots structures by time-resolved photoluminescence. By performing a strict resonant excitation of the quantum dot ground state, we have directly measured the exciton radiative recombination time. At low temperature, we observe strictly no decay of both the linear and the circular luminescence polarization. This demonstrates that neither the electron, nor the hole spin relax on the exciton lifetime scale (2̃,5 ns). These experiments allow also to probe the exciton fine structure without resolving it spectrally. After optical orientation of carrier photogenerated under non resonant excitation, an unexpected increase of the quantum dot excited state luminescence polarization is observed. This effect is interpreted in terms of Pauli blocking which prevent the relaxation of an electron in the quantum dot ground state already occupied by another electron with the same spin orientation. We have developed a simple theoretical model, based on the Master Equation of Microstates, which qualitatively describes the experimental results
Molecular beam epitaxy and properties of GaAsBi/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy: effect of thermal annealing by Hajer Makhloufi( )

1 edition published in 2014 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Nanomatériaux pour application photovoltaïque by Oana Zaberca( Book )

2 editions published in 2012 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Les nanoparticules de Cu2ZnSnS4, (CZTS) offrent une opportunité intéressante pour la fabrication de cellules solaires à bas coût par le procédé impression encres. Divers procédés de fabrication de nanocristaux de CZTS sont développés au cours de cette thèse. Un premier procédé basé sur la polycondensation de complexes ((Cu2+)a (Zn2+)b (Sn4+)c (Tu)d (OH-)e )t+ (Tu = CS(NH2)2, thiourée) permet l'obtention de nanocristaux de CZTS partiellement cristallisés. Un second procédé original de fabrication de nanoparticules mettant en œuvre un gaz dégagé in situ en température comme agent texturant a été développé pour la synthèse de nanoparticules de CZTS hautement cristallisées. Ce procédé a été extrapolé à la fabrication de nanocristaux de CZTS dopé Ga. Enfin dans un troisième procédé, le contrôle de la morphologie des nanocristaux de CZTS a été obtenu dans une voie dissolution re-précipitation. La panoplie de nanocristaux ainsi obtenue devrait être utile à l'optimisation de procédé de fabrication de films de CZTS voie impression d'encres pour cellules solaires bas coût
Etude de la génération d'événements singuliers par excitation laser impulsionnel dans des composants silicium utilisés en environnement radiatif by Maxime Mauguet( Book )

2 editions published in 2019 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

Les composants électroniques utilisés pour des applications spatiales sont soumis à des rayonnements susceptibles de les rendre inopérants. Pour se prémunir de tels effets, leur sensibilité est testée au sol dans des accélérateurs de particules, onéreux et complexes à mettre en œuvre. Ce travail de thèse porte sur l'utilisation d'impulsions laser pour reproduire sous certaines conditions les effets des ions lourds. Le déclenchement de phénomènes parfois destructifs sur plusieurs types de composants de niveaux d'intégration différents a été obtenu sur le banc laser développé pendant cette thèse. Cela ouvre la voix à l'utilisation du laser comme outil de diagnostic en tirant partie de ses avantages en termes d'accessibilité, de coûts et de compréhension fine des effets
Dynamique de spin dans des structures semiconductrices à base de ZnO et de GaN by Delphine Lagarde( Book )

2 editions published in 2008 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This thesis work is a contribution to the study of the spin dynamics of carriers in ZnO- or GaN-based wide bandgap semiconductor structures. We use time-resolved optical pumping experiments dedicated to the ultra-violet to measure spin relaxation times in those structures. The spin properties of hole and exciton in epitaxial layers of ZnO have been analysed from the polarization properties of the photoluminescence detected from neutral-donor bound exciton complexes. We measure both the localized hole spin relaxation time and spin decoherence time and have evidenced the fast spin relaxation time of the free exciton. We have also performed optical orientation experiments on cubic (zinc blende) GaN structures, from bulk material to quantum dots. In those, by studying the optical alignment of exciton spin under quasi-resonant excitation, we demonstrate the quenching of the exciton spin relaxation up to room temperature
Spectroscopie optique et propriétés de spin des boites quantiques uniques de GaAs/AIGaAs formées par épitaxie par gouttelettes by Thomas Belhadj( Book )

2 editions published in 2010 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

This thesis present experimental studies of spin properties in GaAs/AlGaAs quantumdots grown by droplet epitaxy by spatially and temporally resolved photoluminescence measurements. This studies are presented in three different parts. The first part is dedicated to the study of the temporal correlation of the photons emitted by a quantumdot embdedded in two-dimensional photonic crystal membrane. We observe the power dependanceof the coincidence probability by cross-correlation measurements between the biexcitonic and the excitonic transitions into a single quantum dot. Our findings are qualitatively understood with a statistic model. The second part focuses on optical selection rules in these structures, starting point for spin injection experiments. We evidence the mixing between heavy holes and light holes states by analysing the polarisation direction of the luminescence from a single quantum dot. We explain the states mixing by a model that takes into account the shape and the tilting of the quantum dot with respect to the crystallographic axes. The last part presents optical pumping experiments. We inject spinpolarised electrons and observe the creation of a dynamical nuclear polarisation. This polarisation transfert, due to hyperfine interaction, depends on caracteristic times that we can extract thanks to our model. We also present a direct measurement of the creation time of the nuclear spins polarisation
COHERENCE OPTIQUE, COHERENCE DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES A SEMICONDUCTEURS by Paul Le Jeune( Book )

2 editions published in 1998 in French and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

CE MEMOIRE EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES COHERENCE OPTIQUE ET COHERENCE DE SPIN DANS LES PUITS QUANTIQUES A SEMICONDUCTEUR. LES MANIFESTATIONS DE CES COHERENCES SONT OBSERVEES SUR LA LUMINESCENCE AU COURS D'EXPERIENCES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE ULTRA-RAPIDE. LA CONSERVATION DE LA COHERENCE DE SPIN DE L'ELECTRON OU DE L'EXCITON CONDUIT A LA MESURE PRECISE DES FACTEURS DE LANDE DE L'ELECTRON, DU TROU, OU DE L'EXCITON, A L'AIDE D'EXPERIENCES DE BATTEMENTS QUANTIQUES DE SPIN. LA CONSERVATION DE LA COHERENCE OPTIQUE DE L'EXCITON PERMET LE CONTROLE COHERENT DE LA PHASE DE L'ETAT QUANTIQUE D'UN SYSTEME EXCITONIQUE. NOUS MESURONS AINSI LE TEMPS DE DEPHASAGE OPTIQUE EN ETUDIANT LA PERTE DE LA COHERENCE. A FORTE DENSITE, NOUS ETUDIONS LES EFFETS DE L'INTERACTION D'ECHANGE INTEREXCITONS. OUTRE L'IMPACT DE CETTE INTERACTION SUR LA COHERENCE OPTIQUE, NOUS RAPPORTONS DE NOUVELLES MANIFESTATIONS TOUCHANT A LA LARGEUR DES RAIES SPECTRALES, A LEUR DECALAGE, AINSI QU'UN PHENOMENE DE SATURATION DE L'ABSORPTION
Valley dynamics and excitonic properties in monolayer transition metal dichalcogenides by Louis Bouet( Book )

2 editions published in 2015 in English and held by 2 WorldCat member libraries worldwide

The possibility of isolating transition metal dichalcogenide monolayers by simple experimental means has been demonstrated in 2005, by the same technique used for graphene. This has sparked extremely diverse and active research by material scientists, physicists and chemists on these perfectly two-dimensional (2D) materials. Their physical properties inmonolayer formare appealing both fromthe point of view of fundamental science and for potential applications. Transition metal dichalcogenidemonolayers such asMoS2 have a direct optical bandgap in the visible and show strong absorption of the order of 10% per monolayer. For transistors based on single atomic layers, the presence of a gap allows to obtain high on/off ratios.In addition to potential applications in electronics and opto-electronics these 2D materials allow manipulating a new degree of freedom of electrons, in addition to the spin and the charge : Inversion symmetry breaking in addition to the strong spin-orbit coupling result in very original optical selection rules. The direct bandgap is situated at two non-equivalent valleys in k-space, K+ and K-. Using a specific laser polarization, carriers can be initialized either in the K+ or K- valley, allowing manipulating the valley index of the electronic states. This opens up an emerging research field termed "valleytronics". The present manuscript contains a set of experiments allowing understanding and characterizing the optoelectronic properties of these new materials. The first chapter is dedicated to the presentation of the scientific context. The original optical and electronic properties of monolayer transition metal dichalcogenides are demonstrated using a simple theoreticalmodel. The second chapter presents details of the samples and the experimental setup. Chapters 3 to 6 present details of the experiments carried out and the results obtained. We verify experimentally the optical selection rules. We identify the different emission peaks in the monolayer materials MoS2, WSe2 and MoSe2. In time resolved photoluminescence measurements we study the dynamics of photo-generated carriersand their polarization. An important part of this study is dedicated to experimental investigations of the properties of excitons, Coulomb bound electron-hole pairs. In the final experimental chapter, magneto-Photoluminescence allows us to probe the electronic band structure and to lift the valley degeneracy
Injection optique et injection électrique de spin dans des nanostructures semiconductrices by Laurent Lombez( Book )

1 edition published in 2007 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

This thesis describes photoluminescence and electroluminescence spectroscopy studies of the spin properties of semiconductors nanostructures for applications in spin-electronics. We analyze the electronic spin properties in dilute nitride semiconductors such as GaAsN bulk and InGaAsN / GaAs quantum wells. We observe, at room temperature, a slow decay of the circular polarization as well as a strong spin polarization of the conduction band electrons. The origins of these result is linked to the spin dependant recombination mechanism of the electron in the conduction band with deep paramagnetic centers. Moreover, we study the problem of the electrical spin injection in hybrid metal / semiconducteur structures (spin-LED) . The spin injection is realized from a Cobalt layer through an oxide tunnel barrier and it is detected by quantum well electroluminescence. Furthermore, after characterizing the spin dynamics in p-doped quantum dots by photoluminescence spectroscopy and demonstrating the major role of the hyperfin interaction, we realize an efficient electrical spin injection into quantum dots
Développement d'une source VECSEL bifréquence pour la mesure de l'effet brillouin dans les fibres optiques by Léa Chaccour( )

1 edition published in 2016 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

In this thesis, we focus on the development of a dual-frequency VECSEL source operating at 1550 nm for Brillouin based optical fiber sensors. We present the design and the realization of this dual-frequency source. We compare the obtained results to the recommended specifications for Brillouin fiber sensors. In a first step, we have examined the output power of VECSEL structures fabricated in the LPN-CNRS labs. The selected structure ensure an output power of ~200mW using a downward heat dissipation scheme. For our application, it is crucial to ensure a frequency difference between the two cavity modes close to 11 GHz. For this reason, in a second step, we have calculated the frequency difference tunability with several ways (rotation of the birefringent crystal, temperature variation of the birefringent crystal and cavity length variation). A large tunability (GHz order) is ensured when the birefringent crystal is rotated. A weak tunability (MHz order) is ensured by varying the cavity length and the crystal temperature. In a third step, we have demonstrated the realization of a dual-frequency VECSEL at 1550 nm; however, the obtained laser emission was unstable. By optimizing our optical table, the observed dual frequency emission was stable (using a resolution ~1 GHz). A better control of the laser emission stability is ensured by a better focalization of the pump spot diameter. For this reason we have used a single mode laser diode as a pump source. This type of source ensures the pumping of the fundamental cavity modes only. By examining the influence of intra cavity elements on output powers, we have concluded that, an output power around 50 mW can be obtained using an output coupler of 99% reflectivity and a Fabry-Perot etalon with FSR= 15 nm and filter function close to 0.56 nm at 99.5% transmission. In a fourth step, we have examined the stability of the dual-frequency emission with a resolution ~1 GHz for different values of the coupling constant coefficient. A stable dual-frequency emission is obtained with a coupling coefficient between the modes up to 70 %. By investigating the stability with a kHz resolution we have obtained a FHWM close to 200 kHz.To estimate the jitter of the beat frequency obtained we have examined the evolution of the frequency envelope over a minute. A jitter of 0.8 MHz/minute was observed
Etude de faisabilité d'un dispositif photovoltaïque à porteurs chauds by Arthur Le bris( )

1 edition published in 2011 in English and held by 1 WorldCat member library worldwide

La cellule photovoltaïque à porteurs chauds se caractérise par une population électronique hors équilibre thermique avec le réseau, ce qui se traduit par une température électronique supérieure à la température du matériau. Il devient alors possible de récupérer non seulement l'énergie potentielle des porteurs, mais également leur énergie cinétique, et donc d'extraire un surcroît de puissance qui n'est pas exploitée dans des cellules conventionnelles. Cela permet d'atteindre des rendements potentiels proches de la limite thermodynamique. L'extraction des porteurs hors équilibre se fait au moyen de membranes sélectives en énergie afin de limiter les pertes thermiques. Dans cette thèse, l'influence de la sélectivité des contacts sur les performances de la cellule est analysée par des simulations de rendement. Il apparaît que ce paramètre est moins critique qu'annoncé dans la littérature, et que des rendements élevés sont possibles avec des contacts semi-sélectifs, permettant l'extraction de porteurs au dessus d'un seuil d'énergie. De tels contacts sont non seulement beaucoup plus facilement réalisables en pratique que des contacts sélectifs, mais sont également plus compatibles avec les densités de courant élevées qui sont attendues dans de tels dispositifs. Une méthodologie expérimentale est également proposée pour analyser la vitesse de thermalisation des porteurs hors équilibre. Des porteurs sont photogénérés par un laser continu et leur température en régime stationnaire est sondée par photoluminescence en fonction de la densité de puissance excitatrice. Un modèle empirique est obtenu reliant la puissance dissipée par thermalisation à la température électronique. Ce modèle est ensuite utilisé pour simuler le rendement de cellules présentant une thermalisation partielle des porteurs. Enfin, un rendement de cellule réaliste présentant une absorption non idéale, une vitesse de thermalisation mesurée sur des matériaux réels et des contacts semi-sélectifs est calculé. Il ressort qu'une augmentation substantielle de rendement est possible en comparaison d'une simple jonction ayant le même seuil d'absorption, mais que la vitesse de thermalisation observée est néanmoins trop élevée pour permettre de dépasser les records de rendement actuels. Des idées sont proposées afin d'améliorer les performances des structures étudiées
Injection optique et injection électrique de spin dans des nanostructures semiconductrices by Laurent Lombez( )

1 edition published in 2007 in French and held by 1 WorldCat member library worldwide

Ce mémoire est une contribution à l'étude, par spectroscopie de photoluminescence, des propriétés de spin dans les nanostrctures semiconductrices, en vue d'applications pour l'électronique de spin. Nous analysons les propriétés de spin des électrons dans les matériaux nitrures dilués massif GaAsN et puits quantiques InGaAsN/GaAs. Nous observons, à température ambiante, une lente décroissance de la polarisation circulaire de la luminescence ainsi qu'un fort taux de polarisation en spin es électrons dans la bande de conduction. L'origine de ces résultats est liée au mécanisme de recombinaison dépendante en spin des électrons de conduction sur des centres profonds paramagnétiques. Nous étudions également la problématique de l'injection électrique de spin dans les structures hybrides métal ferromagnétique / semiconducteur (spin-LED). Cette injection est effectuée à partir du cobalt à travers une barrière tunnel d'oxyde et est validée en analysant l'électroluminescence de puits quantiques. Par la suite, après avoir caractérisé la dynamique de spin dans les boites quantiques dopées p par spectroscopie de photoluminescence et mis en évidence le rôle majeur joué par l'intéraction hyperfine, nous réalisons une injection électrique de spin efficace dans ces boites quantiques
 
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